參數(shù)資料
型號： ULQ2003ATDRQ1
廠商： Texas Instruments
文件頁數(shù)： 10/17頁
文件大小： 0K
描述： IC DARLINGTON TRANS ARRAY 16SOIC
標準包裝： 1
類型： 達林頓晶體管矩陣
驅動器/接收器數(shù)： 7/0
電源電壓： 6 V ~ 15 V
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝： 16-SOIC N
包裝： 標準包裝
產品目錄頁面： 1010 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱： 296-14395-6
7C
6C
5C
4C
3C
2C
1C
COM
7
6
5
4
3
2
1
7B
6B
5B
4B
3B
2B
1B
10
11
12
13
14
15
16
9
ULQ2003A: R
= 2.7 k
B
W
ULQ2004A: R
= 10.5 k
B
W
7.2 kW
3 kW
R
B
SGLS148D – DECEMBER 2002 – REVISED APRIL 2010
www.ti.com
LOGIC DIAGRAM
SCHEMATICS (EACH DARLINGTON PAIR)
A.
All resistor values shown are nominal.
B.
The collector-emitter diode is a parasitic structure and should not be used to conduct current. If the collector(s) go
below ground an external Schottky diode should be added to clamp negative undershoots.
2
Copyright 2002–2010, Texas Instruments Incorporated
Product Folder Link(s): ULQ2003A-Q1 ULQ2004A-Q1
相關PDF資料
PDF描述
PIC16C56-HSE/P IC MCU OTP 1KX12 18DIP
PIC16C56-10E/SS IC MCU OTP 1KX12 20SSOP
PIC16C56-10E/SO IC MCU OTP 1KX12 18SOIC
PIC16C56-10E/P IC MCU OTP 1KX12 18DIP
PIC16C55T-XT/SS IC MCU OTP 512X12 28SSOP
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
ULQ2003ATDRRB 制造商:Texas Instruments 功能描述:
ULQ2003ATDRYZ 制造商:Texas Instruments 功能描述:
ULQ2003ATPWRQ1 功能描述:達林頓晶體管 Hi-Vltg Hi-Current Dar Transistor Array RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
ULQ2003D1 功能描述:達林頓晶體管 Seven NPN Array RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
ULQ2003D1013TR 功能描述:達林頓晶體管 Seven NPN Array RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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