參數(shù)資料
型號(hào)： TSM4953DCSRF
廠商： Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
英文描述： 30V Dual P-Channel MOSFET
中文描述： 30V的雙P溝道MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大?。?/td> 310K
代理商： TSM4953DCSRF
TSM4953D
30V Dual P-Channel MOSFET
Electrical Specifications
(Ta = 25
o
C unless otherwise noted)
Parameter
2/6
Version: A07
Conditions
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Static
Drain-Source Breakdown Voltage
Gate Threshold Voltage
Gate Body Leakage
Zero Gate Voltage Drain Current
On-State Drain Current
a
V
GS
= 0V, I
D
= -250uA
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250
μ
A
V
GS
= ±24V, V
DS
= 0V
V
DS
= -20V, V
GS
= 0V
V
DS
=-5V, V
GS
= -10V
V
GS
= -10V, I
D
= -4.9A
V
GS
= -4.5V, I
D
= -3.7A
V
DS
= -15V, I
D
= -4.9A
I
S
= -1.9A, V
GS
= 0V
BV
DSS
V
GS(TH)
I
GSS
I
DSS
I
D(ON)
-30
-1.0
--
--
-6
--
--
--
--
--
--
V
V
nA
μ
A
A
-1.5
--
--
--
50
75
10
--
-3.0
±100
-1.0
--
60
90
--
-1.3
Drain-Source On-State Resistance
a
R
DS(ON)
m
Ω
Forward Transconductance
a
Diode Forward Voltage
Dynamic
b
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Switching
c
Turn-On Delay Time
Turn-On Rise Time
Turn-Off Delay Time
Turn-Off Fall Time
Notes:
a. pulse test: PW
≤
300
μ
S, duty cycle
≤
2%
b. For DESIGN AID ONLY, not subject to production testing.
b. Switching time is essentially independent of operating temperature.
g
fs
V
SD
S
V
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
iss
C
oss
C
rss
--
--
--
--
--
--
28
3
7
745
440
120
--
--
--
--
--
--
V
DS
= -15V, I
D
= -4.9A,
V
GS
= -10V
nC
V
DS
= -15V, V
GS
= 0V,
f = 1.0MHz
pF
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
--
--
--
--
9
15
75
40
--
--
--
--
V
DD
= -15V, R
L
= 15
Ω
,
I
D
= -1A, V
GEN
= -10V,
R
G
= 6
Ω
nS
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PDF描述
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參數(shù)描述
TSM4C886K020AH 功能描述:鉭質(zhì)電容器-固體SMD 88.0UF 20.0V RoHS:否 制造商:AVX 電容:100 uF 電壓額定值:20 V ESR: 容差:10 % 外殼代碼 - in:2917 外殼代碼 - mm:7343 高度:4.1 mm 制造商庫(kù)存號(hào):E Case 工作溫度范圍:- 55 C to + 125 C 系列:TBM 產(chǎn)品:Tantalum Solid Low ESR Commercial Grade 封裝:Bulk
TSM4D206K050AH 功能描述:鉭質(zhì)電容器-固體SMD 20.0UF 50.0V RoHS:否 制造商:AVX 電容:100 uF 電壓額定值:20 V ESR: 容差:10 % 外殼代碼 - in:2917 外殼代碼 - mm:7343 高度:4.1 mm 制造商庫(kù)存號(hào):E Case 工作溫度范圍:- 55 C to + 125 C 系列:TBM 產(chǎn)品:Tantalum Solid Low ESR Commercial Grade 封裝:Bulk
TSM4D667M006AH 功能描述:鉭質(zhì)電容器-固體SMD 660.UF 6.0V RoHS:否 制造商:AVX 電容:100 uF 電壓額定值:20 V ESR: 容差:10 % 外殼代碼 - in:2917 外殼代碼 - mm:7343 高度:4.1 mm 制造商庫(kù)存號(hào):E Case 工作溫度范圍:- 55 C to + 125 C 系列:TBM 產(chǎn)品:Tantalum Solid Low ESR Commercial Grade 封裝:Bulk
TSM4D886K035AH 功能描述:鉭質(zhì)電容器-固體SMD 88.0UF 35.0V RoHS:否 制造商:AVX 電容:100 uF 電壓額定值:20 V ESR: 容差:10 % 外殼代碼 - in:2917 外殼代碼 - mm:7343 高度:4.1 mm 制造商庫(kù)存號(hào):E Case 工作溫度范圍:- 55 C to + 125 C 系列:TBM 產(chǎn)品:Tantalum Solid Low ESR Commercial Grade 封裝:Bulk
TSM4D887K010AH 功能描述:鉭質(zhì)電容器-固體SMD 880.UF 10.0V RoHS:否 制造商:AVX 電容:100 uF 電壓額定值:20 V ESR: 容差:10 % 外殼代碼 - in:2917 外殼代碼 - mm:7343 高度:4.1 mm 制造商庫(kù)存號(hào):E Case 工作溫度范圍:- 55 C to + 125 C 系列:TBM 產(chǎn)品:Tantalum Solid Low ESR Commercial Grade 封裝:Bulk
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