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參數(shù)資料
| 型號： | TSM1N60LCH |
| 廠商： | Taiwan Semiconductor Co., Ltd. |
| 英文描述： | N-Channel Power Enhancement Mode MOSFET |
| 中文描述： | N溝道功率增強(qiáng)型MOS管 |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 181K |
| 代理商： | TSM1N60LCH |
TSM1N60L
3-4
2006/01 rev. A
Typical Characteristics Curve
(Ta = 25
o
C unless otherwise noted)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TSM1N60LCP | N-Channel Power Enhancement Mode MOSFET |
| TSM1N60S_07 | 600V N-Channel Power MOSFET |
| TSM1N60SCT | 600V N-Channel Power MOSFET |
| TSM1N60S | N-Channel Power Enhancement Mode MOSFET |
| TSM1N60SCTA3 | N-Channel Power Enhancement Mode MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TSM1N60LCH C5 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
| TSM1N60LCP | 功能描述:MOSFET 600V 1A N channel MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| TSM1N60LCP R0 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
| TSM1N60SCT | 功能描述:MOSFET 600V 1A N channel MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| TSM1N60SCT A3 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 3-Pin TO-92 Ammo |
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