參數(shù)資料
型號(hào)： TSD882S_07
廠商： Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
英文描述： Low Vcesat NPN Transistor
中文描述： 低VCESAT NPN晶體管
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 212K
代理商： TSD882S_07
TSD882S
Low Vcesat NPN Transistor
1/5
Version: A07
TO-92
SOT-89
PRODUCT SUMMARY
BV
CBO
BV
CEO
I
C
V
CE(SAT)
60V
50V
3A
0.5V @ I
C
/ I
B
= 2A / 200mA
Features
●
●
Low V
CE(SAT)
0.25 @ I
C
/ I
B
= 2A / 200mA (Typ.)
Complementary part with TSB772S
Structure
●
●
Epitaxial Planar Type
NPN Silicon Transistor
Ordering Information
Part No.
TSD882SCT B0
TSD882SCT A3
TSD882SCY RM
Package
TO-92
TO-92
SOT-89
Packing
1Kpcs / Bulk
2Kpcs / Ammo
1Kpcs / 7” Reel
Absolute Maximum Rating
(Ta = 25
o
C unless otherwise noted)
Parameter
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
Limit
60
50
5
3
7 (note)
0.75
0.625
+150
- 55 to +150
Unit
V
V
V
DC
Pulse
SOT-89
TO-92
Collector Current
I
C
A
Collector Power Dissipation
P
D
W
Operating Junction Temperature
Operating Junction and Storage Temperature Range
Note: Single pulse, Pw
≤
350us, Duty
≤
2%
T
J
T
STG
o
C
o
C
Electrical Specifications
(Ta = 25
o
C unless otherwise noted)
Parameter
Collector-Base Breakdown Voltage
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-Base Breakdown Voltage
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter Saturation Voltage
DC Current Transfer Ratio
Conditions
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
*V
CE(SAT)
*V
BE(SAT)
*h
FE
Min
60
50
5
--
--
--
--
100
Typ
--
--
--
--
--
0.25
--
--
Max
--
--
--
1
1
0.5
2
500
Unit
V
V
V
uA
uA
V
V
I
C
= 50uA, I
E
= 0
I
C
= 1mA, I
B
= 0
I
E
= 50uA, I
C
= 0
V
CB
= 50V, I
E
= 0
V
EB
= 3V, I
C
= 0
I
C
/ I
B
= 2A / 200mA
I
C
/ I
B
= 2A / 200mA
V
CE
= 2V, I
C
= 1A
V
CE
=6V, I
C
=50mA,
f=100MHz
V
CB
= 10V, f=1MHz
Transition Frequency
f
T
--
90
--
MHz
Output Capacitance
* Pulse Test: Pulse Width
≤
380uS, Duty Cycle
≤
2%
Cob
--
45
--
pF
Pin Definition:
1. Base
2. Collector
3. Emitter
Pin Definition:
1. Emitter
2. Collector
3. Base
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TSD882SCT Low Vce(sat) NPN Transistor
TSD882SCY Low Vce(sat) NPN Transistor
TSD882 Low Vce(sat) NPN Transistor
TSD882CK Low Vce(sat) NPN Transistor
TSD882S Low Vce(sat) NPN Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TSD882SCT 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
TSD882SCT A3 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:LOW VCESAT NPN TRANSISTOR
TSD882SCY 制造商:TSC 制造商全稱:Taiwan Semiconductor Company, Ltd 功能描述:Low Vcesat NPN Transistor
TSD-887 制造商:PMI 制造商全稱:PMI 功能描述:SWITCH MODE DC/DC POWER CONVERSION TRANSFORMERS
TSD-892 制造商:PMI 制造商全稱:PMI 功能描述:SUPPORT PRODUCTS FOR MICRO LINEAR I.C.S
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