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參數(shù)資料
| 型號： | TSD2932 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | RF POWER TRANSISTORS HF/VHF/UHF N-CHANNEL MOSFETs |
| 中文描述： | RF功率晶體管高頻/甚高頻/超高頻N溝道MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 1/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 122K |
| 代理商： | TSD2932 |
SD2932
RF POWER TRANSISTORS
HF/VHF/UHF N-CHANNEL MOSFETs
PRELIMINARY DATA
ν
GOLDMETALLIZATION
ν
EXCELLENTTHERMAL STABILITY
ν
COMMON SOURCE CONFIGURATION,
PUSH-PULL
ν
POUT = 300W MIN. WITH 15 dB GAIN @175
MHz
DESCRIPTION
The SD2932is a gold metallized N-ChannelMOS
field-effect RF power transistor. The SD2932 is
intended
for
use
in
applicationsup to 250 MHz
50V
dc
large
signal
PIN CONNECTION
March 2000
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
= 25
o
C)
Symbol
V
(BR)DSS
V
DGR
V
GS
I
D
P
DISS
T
j
T
STG
Parameter
Value
125
125
±
20
40
500
+200
-65 to 150
Unit
V
V
V
A
W
o
C
o
C
Drain Source Voltage
Drain-Gate Voltage (R
GS
= 1M
)
Gate-Source Voltage
Drain Current
Power Dissipation
Max. Operating Junction Temperature
Storage Temperature
THERMAL DATA
R
th(j-c)
Junction-Case Thermal Resistance
0.35
o
C/W
R
th(c-s)
Determined using a flat aluminumor copper heatsink with thermal compound applied (Dow Corning 340 or equivalent).
Case Heatsink Thermal Resistance
0.12
o
C/W
M244
epoxy sealed
ORDER CODE
SD2932
BRANDING
TSD2932
1. Drain
2. Gate
3. Source
1/13
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