參數(shù)資料
型號(hào)： TSD1664CW
廠(chǎng)商： Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
英文描述： Low Vcesat NPN Transistor
中文描述： 低VCESAT NPN晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大小： 210K
代理商： TSD1664CW
TSD1664
Low Vcesat NPN Transistor
1/5
Version: A07
SOT-89
SOT-223
PRODUCT SUMMARY
BV
CEO
BV
CBO
I
C
V
CE(SAT)
32V
40V
1A
0.15V @ I
C
/ I
B
= 500mA / 50mA
Features
●
●
Low V
CE(SAT)
0.15V @ I
C
/ I
B
= 500mA / 50mA (Typ.)
Complementary part with TSB1132
Structure
●
●
Epitaxial Planar Type
NPN Silicon Transistor
Ordering Information
Part No.
TSD1664CY RM
TSD1664CW RP
Package
TO-92
TO-223
Packing
1Kpcs / 7” Reel
2.5Kpcs / 13” Reel
Absolute Maximum Rating
(Ta = 25
o
C unless otherwise noted)
Parameter
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
Limit
40
32
5
1
2 (note1)
0.5
2 (note 2)
+150
- 55 to +150
Unit
V
V
V
DC
Pulse
Collector Current
I
C
A
Collector Power Dissipation
P
D
W
Operating Junction Temperature
Operating Junction and Storage Temperature Range
Note: 1. Single pulse, Pw=20ms, Duty
≤
50%
2. When mounted on a 40 x 50 x 0.7mm ceramic board.
T
J
T
STG
o
C
o
C
Electrical Specifications
(Ta = 25
o
C unless otherwise noted)
Parameter
Collector-Base Breakdown Voltage
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-Base Breakdown Voltage
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
Collector-Emitter Saturation Voltage
DC Current Transfer Ratio
Conditions
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(SAT)
h
FE
Min
40
32
5
--
--
--
82
Typ
--
--
--
--
--
0.15
--
Max
--
--
--
0.5
0.5
0.4
390
Unit
V
V
V
uA
uA
V
I
C
= 50uA, I
E
= 0
I
C
= 1mA, I
B
= 0
I
E
= 50uA, I
C
= 0
V
CB
= 20V, I
E
= 0
V
EB
= 4V, I
C
= 0
I
C
/ I
B
= 500mA / 50mA
V
CE
= 3V, I
C
= 100mA
V
CE
=5V, I
C
=-50mA,
f=100MHz
V
CB
= 10V, I
E
= 0, f=1MHz
Transition Frequency
f
T
50
150
--
MHz
Output Capacitance
Cob
--
10
20
pF
h
FE
values are classified as follows:
Rank
P
h
FE
82~180
Q
R
120~270
180~390
Pin Definition:
1. Base
2. Collector
3. Emitter
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TSD1664CY Low Vcesat NPN Transistor
TSD1760 Low Vce(sat) NPN Transistor
TSD1760CP Low Vce(sat) NPN Transistor
TSD1760CPQ Low Vce(sat) NPN Transistor
TSD1760CPR Low Vce(sat) NPN Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TSD1664CY 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
TSD1664CY RM 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:LOW VCESAT NPN TRANSISTOR
TSD1664CYRM 制造商:TSC 制造商全稱(chēng):Taiwan Semiconductor Company, Ltd 功能描述:Low Vcesat NPN Transistor
TSD1664CYRMG 制造商:TSC 制造商全稱(chēng):Taiwan Semiconductor Company, Ltd 功能描述:Low Vcesat NPN Transistor
TSD-1667 制造商:PMI 制造商全稱(chēng):PMI 功能描述:OFF-LINE SWITCH MODE TRANSFORMERS
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠(chǎng)商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*