參數(shù)資料
型號(hào)： TSC83251G2D-L16CB
廠商： Atmel Corp.
英文描述： B/16-BIT MICROCONTROLLER WITH SERIAL COMMUNICATION INTERFACES
中文描述： B/16-BIT微控制器串行通信接口
文件頁(yè)數(shù)： 13/28頁(yè)
文件大小： 153K
代理商： TSC83251G2D-L16CB
Qualpack TSC87251G2D
Rev. 0 – October 1999
13
3.3 Wafer Process Qualification
3.3.1 Process Module Reliability
This chapter contains all the information relative to the reliability of the SCMOS3 technology. Results
presented in the following sections concern the reliability of the basic process steps that build up the
technology.
3.3.1.1 Hot carrier qualification
STATIC NMOS DEGRADATION
Channel length in μm
Process corner
Substrate current in μA/μm
VD=5.5v, VG=2.25v
Substrate current in μA/μm
VD=3.6v, VG=1.6v
Lifetime in seconds for 10% shift of
Gm at VD=5.5v
Lifetime in seconds for 10% shift of
Gm at VD=3.6v
0.5
Fast
17
0.55
Fast
15
0.6
Fast
13.4
0.65
Fast
12.1
0.7
Fast
11.1
0.5
Typical
14.7
0.35
0.3
0.25
0.22
0.2
0.3
3.2e3
3.7e3
4.2e3
4.7e3
5.2e3
3.8e3
8e7
10e7
12e7
14e7
16e7
10e7
STATIC PMOS DEGRADATION
Channel length in μm
Process corner
Substrate current in μA/μm
VD=5.5v, VG=2.25v
Substrate current in μA/μm
VD=3.6v, VG=1.25v
Lifetime in seconds for 10% shift of
Gm at VD=5.5v
Lifetime in seconds for 10% shift of
Gm at VD=3.6v
0.5
Fast
0.31
0.55
Fast
0.28
0.6
Fast
0.25
0.65
Fast
0.22
0.7
Fast
0.21
0.5
Typical
0.24
2.3e-3
1.9e-3
1.6e-3
1.4e-3
1.1e-3
1.6e-3
2.7e4
3.1e4
3.5e4
3.9e4
4.3e4
3.5e4
2e7
2.5e7
3e7
3.8e7
4.6e7
3.2e7
EXPERIMENTAL RESULTS IN DYNAMIC MODE: hot carrier degradation effects on inverter
propagation time have been measured on oscillators running at 75 MHz at 7v and 6.5v. Accelerator
factor in voltage is then carried out and expected degradation laws at 5v and 3.3v derived. The following
graphs show the frequency degradation of oscillators running at 5v and 3.3v.
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PDF描述
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TSC87251G2D-16CB 功能描述:IC MCU 8BIT 32K OTP 16MHZ 44PLCC RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:8x251 標(biāo)準(zhǔn)包裝:9 系列:87C 核心處理器:8051 芯體尺寸:8-位 速度:40/20MHz 連通性:UART/USART 外圍設(shè)備:POR，WDT 輸入/輸出數(shù):32 程序存儲(chǔ)器容量:32KB（32K x 8） 程序存儲(chǔ)器類(lèi)型:OTP EEPROM 大小:- RAM 容量:256 x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):4.5 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:- 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:40-DIP（0.600"，15.24mm） 包裝:管件
TSC87251G2D-16CBR 功能描述:IC MCU 8BIT 32K OTP 16MHZ 44PLCC RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:8x251 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,500 系列:AVR® ATtiny 核心處理器:AVR 芯體尺寸:8-位 速度:16MHz 連通性:I²C，LIN，SPI，UART/USART，USI 外圍設(shè)備:欠壓檢測(cè)/復(fù)位，POR，PWM，溫度傳感器，WDT 輸入/輸出數(shù):16 程序存儲(chǔ)器容量:8KB（4K x 16） 程序存儲(chǔ)器類(lèi)型:閃存 EEPROM 大小:512 x 8 RAM 容量:512 x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.7 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 11x10b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） 包裝:帶卷 (TR)
TSC87251G2D-24CB 功能描述:IC C251 MCU OTPROM 32K 44PLCC RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:8x251 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,500 系列:AVR® ATtiny 核心處理器:AVR 芯體尺寸:8-位 速度:16MHz 連通性:I²C，LIN，SPI，UART/USART，USI 外圍設(shè)備:欠壓檢測(cè)/復(fù)位，POR，PWM，溫度傳感器，WDT 輸入/輸出數(shù):16 程序存儲(chǔ)器容量:8KB（4K x 16） 程序存儲(chǔ)器類(lèi)型:閃存 EEPROM 大小:512 x 8 RAM 容量:512 x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.7 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 11x10b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） 包裝:帶卷 (TR)
TSC87251G2D-24CE 功能描述:IC C251 MCU OTPROM 32K 44VQFP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:8x251 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,500 系列:AVR® ATtiny 核心處理器:AVR 芯體尺寸:8-位 速度:16MHz 連通性:I²C，LIN，SPI，UART/USART，USI 外圍設(shè)備:欠壓檢測(cè)/復(fù)位，POR，PWM，溫度傳感器，WDT 輸入/輸出數(shù):16 程序存儲(chǔ)器容量:8KB（4K x 16） 程序存儲(chǔ)器類(lèi)型:閃存 EEPROM 大小:512 x 8 RAM 容量:512 x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.7 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 11x10b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） 包裝:帶卷 (TR)
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