參數(shù)資料
型號(hào)： TSB1424ACY
廠商： Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
英文描述： Low Vce(sat) PNP Transistor
中文描述： 低Vce（sat）PNP晶體管
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大小： 71K
代理商： TSB1424ACY
TSB1424A
1-1
2003/12 rev. B
TSB1424A
Low Vce(sat) PNP Transistor
BV
CEO
= - 50V
Ic = - 3A
V
CE (SAT)
, = - 0.35V(typ.) @Ic / Ib = - 2A / - 0.1A
Features
Low V
CE (SAT).
Excellent DC current gain characteristics
Structure
Epitaxial planar type.
Complementary to TSD2150A
Absolute Maximum Rating
(Ta = 25
o
C
unless otherwise noted)
Ordering Information
Part No.
Packing
Package
Marking
TSB1424ACW
2.5k per reel SOT-223
AE
TSB1424ACY
1k per reel
SOT-89
AE
Parameter
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
Limit
- 50V
- 50V
- 6
- 3
- 5
Unit
V
V
V
A
DC
Pulse
SOT-89
0.5
Collector Power Dissipation
SOT-223
P
D
1.5
W
Operating Junction Temperature
Operating Junction and Storage Temperature Range
Note: 1. Single pulse, Pw = 10mS, Duty <= 30%
Electrical Characteristics
T
J
T
STG
+150
o
C
o
C
- 55 to +150
Ta = 25
o
C unless otherwise noted
Parameter
Static
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-Base Breakdown Voltage
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
Collector-Emitter Saturation Voltage
DC Current Transfer Ratio
Conditions
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
I
C
= - 50uA
I
C
= - 1mA
I
E
= - 50uA
V
CB
= - 20V
V
EB
= - 5V
I
C
/ I
B
= - 2A / - 0.1A
V
CE
= 2V, I
C
= 100mA
V
CE
= 2V, I
C
= 1A
V
CE
= 2V, I
C
= 2A
V
CE
= - 2V, I
C
= - 500mA,
f = 100MHz
V
CB
= - 10V, f=1MHz
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(SAT)
h
FE
h
FE
h
FE
f
T
- 50
- 50
- 6
--
--
--
180
180
180
--
--
--
--
--
--
--
--
--
V
V
V
uA
uA
V
MHz
- 0.1
-0.1
- 0.5
--
560
--
--
-0.35
--
--
--
240
Transition Frequency
Output Capacitance
Note : pulse test: pulse width <=380uS, duty cycle <=2%
Cob
--
35
--
pF
Pin assignment:
1. Base
2. Collector
3. Emitter
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