參數(shù)資料
型號： TPCS8212
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII)
中文描述： 硅?頻道馬鞍山型（U型MOSIII）
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大?。?/td> 340K
代理商： TPCS8212
TPCS8212
2002-01-17
4
I
D
– V
DS
I
D
– V
DS
I
D
– V
GS
V
DS
– V
GS
|Y
fs
| – I
D
R
DS (ON)
– I
D
F
Y
f
D
D
Drain-source voltage V
DS
(V)
D
D
Drain-source voltage V
DS
(V)
D
D
Gate-source voltage V
GS
(V)
D
D
Gate-source voltage V
GS
(V)
Drain current I
D
(A)
Drain current I
D
(A)
D
R
D
)
0
VGS
=
1.4 V
1.5
2
4, 5
0
1
2
3
4
5
2
4
6
8
10
1.8
Common source
Ta
=
25°C
Pulse test
1.7
1.6
0
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1.4 V
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1.6
1.7
2
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0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
1
2
3
4
5
Common source
Ta
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25°C
Pulse test
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0
0
1
2
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Ta
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100
25
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=
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Pulse test
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0
2
4
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8
10
0.2
0.4
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6
ID
=
12 A
0.6
Common source
Ta
=
25°C
Pulse test
1.5
3
1
0.1
1
10
10
100
Ta
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55°C
25
100
Common source
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0.1
1
10
10
100
VGS
=
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Common source
Ta
=
25°C
Pulse test
2.5
2
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PDF描述
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TPCS8214 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Lithium Ion Battery Applications
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