參數(shù)資料
型號(hào)： TPCA8103
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS4)
中文描述： 東芝場(chǎng)效應(yīng)晶體管硅P通道馬鞍山型（U型MOS4）
文件頁(yè)數(shù)： 5/7頁(yè)
文件大?。?/td> 254K
代理商： TPCA8103
TPCA8103
2004-01-16
5
R
DS (ON)
– Ta
I
DR
– V
DS
Capacitance – V
DS
V
th
– Ta
G
t
Ambient temperature Ta (°C)
D
R
D
)
Drain-source voltage V
DS
(V)
Drain-source voltage V
DS
(V)
C
Ambient temperature Ta (°C)
D
D
Total gate charge Q
g
(nC)
D
D
100
0.1
1
10
100
1000
10000
100000
Crss
Coss
Ciss
Common source
VGS
=
0 V
f
=
1 MHz
Ta
=
25°C
1.2
0
80
40
0
40
120
160
80
0.4
0.8
1.6
2.0
Common source
VDS
=
10 V
ID
=
1 mA
Pulse test
0
80
40
0
40
120
160
80
5
15
20
ID
=
40 A,
20 A,
10 A
ID
=
40 A,
20 A,
10 A
VGS
=
4 V
10 V
Common source
Pulse test
10
0
0.1
1
10
1000
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
VGS
=
0 V
1
10
5
3
Common source
Ta
=
25°C
Pulse test
100
Dynamic input/output characteristics
G
G
0
10
20
30
0
40
80
120
160
Common source
ID
=
13 A
Ta
=
25°C
Pulse test
VDD
=
24 V
VDS
VGS
30
20
0
10
240
VDD
=
24 V
12
12
6
6
200
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TPCF8104 TOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON P CHANNEL MOS TYPE(U?MOS?)
TPCP8402 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P, N Channel MOS Type (U-MOS IV / U-MOS III)
TPCS8104 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type
TPCS8204 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII)
TPCS8210 SILICON N CHANNEL MOS TYPE LITHIUM BATTERY APPLICATIONS
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