參數(shù)資料
型號： TPC8014
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS III)
中文描述： 東芝場效應晶體管硅?頻道馬鞍山型（U型馬鞍山三）
文件頁數(shù)： 5/7頁
文件大?。?/td> 213K
代理商： TPC8014
TPC8014
2004-07-06
5
80
40
0
40
80
160
120
0
5
10
25
15
20
Common source
Pulse test
VGS
=
4.5 V
ID
=
11, 5.5, 2.5 A
10
ID
=
11, 5.5, 2.5 A
R
DS (ON)
– Ta (
α
)
Ambient temperature Ta (°C)
D
R
D
)
I
DR
– V
DS
Drain-source voltage V
DS
(V)
D
D
V
th
– Ta
Ambient temperature Ta (°C)
G
t
Capacitance – V
DS
Drain-source voltage V
DS
(V)
C
P
D
– Ta
D
D
Ambient temperature Ta (°C)
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
50
100
150
200
(1) Device mounted on a
glass-epoxy board (a)
(Note 2a)
(2) Device mounted on a
glass-epoxy board (b)
(Note 2b)
t
=
10 s
(1)
(2)
Dynamic input/output characteristics
D
D
G
G
Total gate charge Q
g
(nC)
0.1
1
10
100
10
100
1000
10000
Crss
Coss
Ciss
Common source
VGS
=
10 V
=
1 mA
ID
0.1
1
10
0
0.4
0.6
0.8
1.2
0.2
100
1
Common source
Ta
=
25°C
Pulse test
3
1
5
10
VGS
=
10 V
80
40
0
40
80
120
0
1
3
2
Common source
VDS
=
10 V
ID
=
1 mA
Pulse test
0.5
1.5
2.5
0
15
10
20
30
5
25
0
10
20
30
Common source
Ta
=
25°C
ID
=
11 A
Pulse test
VDS
VDD
=
24 V
40
50
60
12
6
VDD
=
24 V
6
12
0
15
10
20
30
5
25
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