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參數(shù)資料
| 型號： | TN2130ND |
| 廠商： | SUPERTEX INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
| 中文描述： | 85 mA, 300 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | DIE |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 454K |
| 代理商： | TN2130ND |
4
1235 Bordeaux Drive, Sunnyvale, CA 94089
TEL: (408) 744-0100 FAX: (408) 222-4895
www.supertex.com
11/12/01
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Gate Drive Dynamic Characteristics
V
G
T
j
(
°
C)
V
G
R
D
(
V
TH
and R
DS
Variation with Temperature
On-Resistance vs. Drain Current
R
D
BV
DSS
Variation with Temperature
B
D
T
j
(
°
C)
Transfer Characteristics
I
D
Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
50
C
I
D
(amperes)
0
10
20
30
40
25
0
0
2
4
6
8
10
-50
0
50
100
150
1.1
1.0
50
40
30
20
10
0
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
10
8
6
4
2
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-50
0
50
100
150
28pF
V
DS
= 10V
80 pF
V
DS
= 40V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 10V
0
0.2
0.4
0.6
1.0
0.8
f = 1MHz
0.9
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
V
GS(th)
@ 1mA
R
DS(ON)
@ 4.5V, 120mA
0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
T
A
= -55
°
C
V
DS
= 15V
V
DS
125
°
C
Q
G
(nanocoulombs)
V
DS
(volts)
V
GS
(volts)
C
ISS
C
OSS
C
RSS
25
°
C
Typical Performance Curves
TN2130
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TN2425 | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓250V，N溝道增強型垂直DMOS結(jié)構場效應管) |
| TN2425 | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
| TN2425N8 | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
| TN2425ND | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
| TN2435 | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓350V，低門限，N溝道增強型垂直DMOS結(jié)構場效應管) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TN21-B.29 | 制造商:TEKO 功能描述:Bulk 制造商:TEKO 功能描述:ENCLOSURE TEKNET BLACK/GREY |
| TN21-B.29-AL | 制造商:OKW ENCLOSURES INC 功能描述:ENCLOSURE, ABS, BLACK/GRAY, 6.102 X 3.78 X .953 W/BATTERY |
| TN21-B.30 | 制造商:TEKO 功能描述: |
| TN21-B.30-AL | 制造商:OKW ENCLOSURES INC 功能描述:ENCLOSURE, ABS, WHITE/GRAY, 6.102 X 3.78 X .953 W/BATTERY |
| TN22 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:STARTLIGHT |
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