- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄385941 > TN2106 (ELAN Microelctronics Corp .) N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓60V，低門(mén)限2.0V，N溝道增強(qiáng)型垂直DMOS結(jié)構(gòu)場(chǎng)效應(yīng)管) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | TN2106 |
| 廠商： | ELAN Microelctronics Corp . |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓60V，低門(mén)限2.0V，N溝道增強(qiáng)型垂直DMOS結(jié)構(gòu)場(chǎng)效應(yīng)管) |
| 中文描述： | N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管垂直的DMOS（60V的擊穿電壓，2.0V的低門(mén)限，?溝道增強(qiáng)型垂直的DMOS結(jié)構(gòu)場(chǎng)效應(yīng)管） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 32K |
| 代理商： | TN2106 |
7-74
Typical Performance Curves
Gate Drive Dynamic Characteristics
Q
G
(nanocoulombs)
V
G
(
Tj (
°
C)
V
G
(
R
D
(
V
GS(th)
and R
DS(ON)
Variation with Temperature
On-Resistance vs. Drain Current
R
D
(
B
D
(
Tj (
°
C)
Transfer Characteristics
V
GS
(volts)
I
Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
100
C
V
DS
(volts)
ID (amperes)
BV
DSS
Variation with Temperature
0
10
20
30
40
50
75
25
0
0
2
4
6
8
10
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-50
0
50
100
150
1.1
1.0
10
8
6
4
2
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
10
8
6
4
2
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-50
0
50
100
150
38 pF
V
DS
= 20V
92 pF
V
DS
= 10V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 10V
T
A
= -55
°
C
V
DS
= 25V
125
°
C
0
0.5
1.0
1.5
2.5
2.0
f = 1MHz
C
ISS
C
OSS
C
RSS
0.9
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
V
GS(th)
@ 1mA
25
°
C
0
R
DS(ON)
@ 10V, 0.5A
TN2106
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TN2106K1 | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
| TN2106N3 | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
| TN2106ND | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
| TN2124 | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
| TN2124K1 | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TN2106_03 | 制造商:SUPERTEX 制造商全稱(chēng):SUPERTEX 功能描述:N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
| TN2106K1 | 功能描述:MOSFET 60V 2.5Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| TN2106K1-G | 功能描述:MOSFET 60V 2.5Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| TN2106N3 | 功能描述:MOSFET 60V 2.5Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| TN2106N3-G | 功能描述:MOSFET 60V 2.5Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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