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參數(shù)資料
| 型號： | TN0106ND |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE D-MOS POWER FETs |
| 中文描述： | N溝道增強，模式D - MOS功率場效應(yīng)管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 66K |
| 代理商： | TN0106ND |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TN0110 | N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE D-MOS POWER FETs |
| TN0110N3 | N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE D-MOS POWER FETs |
| TN0110ND | N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE D-MOS POWER FETs |
| TN0106 | CONNECTOR ACCESSORY |
| TN0106N3 | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TN010K1HBK-0613P | 功能描述:鋁質(zhì)電解電容器 - 帶引線 50V 1.0uF 10% 6.3x13mm RoHS:否 制造商:Kemet 引線類型: 電容:220 uF 容差:20 % 電壓額定值:25 V 工作溫度范圍: 端接類型:Radial 外殼直徑:8 mm 外殼長度:11 mm 引線間隔:5 mm 產(chǎn)品:General Purpose Electrolytic Capacitors 封裝:Bulk |
| TN010K2ABK-0613P | 功能描述:鋁質(zhì)電解電容器 - 帶引線 100V 1.0uF 10% 6.3x13mm RoHS:否 制造商:Kemet 引線類型: 電容:220 uF 容差:20 % 電壓額定值:25 V 工作溫度范圍: 端接類型:Radial 外殼直徑:8 mm 外殼長度:11 mm 引線間隔:5 mm 產(chǎn)品:General Purpose Electrolytic Capacitors 封裝:Bulk |
| TN0110 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE D-MOS POWER FETs |
| TN0110N3 | 功能描述:MOSFET 100V 3Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| TN0110N3-G | 功能描述:MOSFET 100V 3Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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