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參數(shù)資料
| 型號： | TN0106N3 |
| 廠商： | SUPERTEX INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
| 中文描述： | 350 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
| 封裝： | TO-92, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 66K |
| 代理商： | TN0106N3 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TN0110 | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
| TN0110N3 | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
| TN0110ND | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
| TN0106 | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓60V，低門限2.0V，N溝道增強型垂直DMOS結(jié)構(gòu)場效應(yīng)管) |
| TN0110 | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓100V，低門限2.0V，N溝道增強型垂直DMOS結(jié)構(gòu)場效應(yīng)管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TN0106N3-G | 功能描述:MOSFET 60V 3Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| TN0106N3-G P002 | 功能描述:MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET RoHS:否 制造商:Supertex 晶體管極性: 汲極/源極擊穿電壓: 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 配置: 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| TN0106N3-G P003 | 功能描述:MOSFET N-Channel DMOS FET Low Threshold 2.0V RoHS:否 制造商:Supertex 晶體管極性: 汲極/源極擊穿電壓: 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 配置: 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| TN0106N3-G P005 | 制造商:Supertex Inc 功能描述:MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET |
| TN0106N3-G P013 | 功能描述:MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET RoHS:否 制造商:Supertex 晶體管極性: 汲極/源極擊穿電壓: 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 配置: 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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