參數(shù)資料
型號: TLZ3V3AGS08
廠商: VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類: 參考電壓二極管
英文描述: 3.27 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
封裝: HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MINIMELF-2
文件頁數(shù): 5/8頁
文件大?。?/td> 86K
代理商: TLZ3V3AGS08
TLZ-Series
Vishay Semiconductors
Document Number 85635
Rev. 2.0, 25-May-10
www.vishay.com
5
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Figure 5. Diode Capacitance vs. Z-Voltage
Figure 6. Forward Current vs. Forward Voltage
Figure 7. Z-Current vs. Z-Voltage
10
15
0
50
100
150
200
C
D
V
Z
- Z-
V
oltage (
V
)
25
95 9601
20
T
j
= 25 °C
V
R
= 2
V
0
5
0
0.2
V
F
- For
w
ard
V
oltage (
V
)
0.4
0.6
0.
8
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1.0
95 9605
I
F
w
a
u
r
T
j
= 25 °C
8
20
95 9604
0
20
40
60
8
0
100
I
Z
u
r
P
tot
= 500 m
W
T
am
b
= 25 °C
0
4
6
12
V
Z
- Z-
V
oltage (
V
)
Figure 8. Z-Current vs. Z-Voltage
Figure 9. Differential Z-Resistance vs. Z-Voltage
15
20
25
30
0
10
20
30
40
50
I
Z
u
r
V
Z
- Z-
V
oltage (
V
)
35
95 9607
P
tot
= 500 m
W
T
am
b
= 25 °C
0
10
15
20
1
10
100
1000
25
95 9606
T
j
= 25 °C
I
Z
= 1 mA
5 mA
10 mA
V
Z
- Z-
V
oltage (
V
)
r
Z
Ω
)
5
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PDF描述
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參數(shù)描述
TLZ3V3A-GS08 功能描述:穩(wěn)壓二極管 3.3 Volt 0.5 Watt IR = 10uA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
TLZ3V3A-GS18 功能描述:穩(wěn)壓二極管 3.3 Volt 0.5 Watt IR = 10uA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
TLZ3V3B 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Z-Diodes
TLZ3V3B-GS08 功能描述:穩(wěn)壓二極管 3.3 Volt 0.5 Watt IR = 10uA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
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