- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄358479 > TLZ3V3AGS08 (VISHAY SEMICONDUCTORS) 3.27 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE PDF資料下載
參數資料
| 型號： | TLZ3V3AGS08 |
| 廠商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 3.27 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封裝： | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MINIMELF-2 |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 86K |
| 代理商： | TLZ3V3AGS08 |
TLZ-Series
Vishay Semiconductors
Document Number 85635
Rev. 2.0, 25-May-10
www.vishay.com
1
17205
For technical support, please contact:
DiodesSSP@vishay.com
Small Signal Zener Diodes
Features
Very sharp reverse characteristic
Low reverse current level
Very high stability
Low noise
High reliability
AEC-Q101 qualified
Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in
accordance to WEEE 2002/96/EC
Halogen-free according to IEC 61249-2-21
definition
Applications
Voltage stabilization
Mechanical Data
Case:
MiniMELF SOD-80
Weight:
approx. 31 mg
Packaging codes/options:
GS18/10K per 13" reel (8 mm tape), 10K/box
GS08/2.5K per 7" reel (8 mm tape), 12.5K/box
Absolute Maximum Ratings
T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Power dissipation
Thermal Characteristics
T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Junction to ambient air
Electrical Characteristics
T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Forward voltage
Test condition
R
thJA
≤
300 K/W
Symbol
P
tot
I
Z
T
j
T
stg
Value
500
P
tot
/V
Z
175
Unit
mW
Z-current
mA
Junction temperature
°C
Storage temperature range
- 65 to + 175
°C
Test condition
Symbol
R
thJA
Value
500
Unit
K/W
on PC board 50 mm x 50 mm x 1.6 mm
Test condition
I
F
= 200 mA
Symbol
V
F
Min.
Typ.
Max.
1.5
Unit
V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TLZ22B-GS08 | VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA |
| TLZ22C-GS08 | VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA |
| TLZ24D-GS08 | VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA |
| TLZ39B-GS08 | VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA |
| TLZ4V7C-GS08 | VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| TLZ3V3A-GS08 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 3.3 Volt 0.5 Watt IR = 10uA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| TLZ3V3A-GS18 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 3.3 Volt 0.5 Watt IR = 10uA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| TLZ3V3B | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Z-Diodes |
| TLZ3V3B-GS08 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 3.3 Volt 0.5 Watt IR = 10uA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| TLZ3V3B-GS18 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 3.3 Volt 0.5 Watt IR = 10uA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。