參數(shù)資料
型號： TISPL758LF3D
廠商： Power Innovations International, Inc.
英文描述： INTEGRATED SYMMETRICAL AND ASYMMETRICAL BIDIRECTIONAL OVERVOLTAGE PROTECTORS FOR LUCENT TECHNOLOGIES L7581/2/3 LINE CARD ACCESS SWITCHES
中文描述： 綜合對稱和非對稱雙向朗訊科技L7581/2/3線卡接入交換機過電壓保護器
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大?。?/td> 178K
代理商： TISPL758LF3D
3
JANUARY 1998 - REVISED OCTOBER 1998
TISPL758LF3D
INTEGRATED SYMMETRICAL AND ASYMMETRICAL BIDIRECTIONAL OVERVOLTAGE
PROTECTORS FOR LUCENT TECHNOLOGIES L7581/2/3 LINE CARD ACCESS SWITCHES
P R O D U C T I N F O R M A T I O N
NOTES: 4. Positive and negative values of V
DRM
are not equal. See ratings table
5. These capacitance measurements employ a three terminal capacitance bridge incorporating a guard circuit. The third terminal is
connected to the guard terminal of the bridge.
electrical characteristics for the T-G and R-G terminal pairs, T
J
= 25°C (unless otherwise noted)
PARAMETER
TEST CONDITIONS
VALUE
TYP
UNIT
MIN
MAX
I
DRM
Repetitive peak off-
state current
V
D
= ±V
DRM
, (See Note 4)
±10
μA
V
(BO)
Breakover voltage
dv/dt = ±250 V/ms,
R
SOURCE
= 300
R-G terminals
T-G terminals
R-G terminals
T-G terminals
-220
-130
-240
-140
+100
-150
+130
+130
+140
+140
V
V
(BO)
Impulse breakover volt-
age
Rated impulse conditions with operational pass series
resistor
di/dt = -30 mA/ms
di/dt = +30 mA/ms
0 < V
D
< ±50 V, T
J
= 85°C
f = 100 kHz,
V
d
= 1 V rms
f = 100 kHz,
V
d
= 1 V rms
V
I
H
Holding current
mA
I
D
C
TG
C
RG
Off-state current
Off-state capacitance
Off-state capacitance
±10
36
20
μA
pF
pF
V
TG
= -5 V, (See Note 5)
V
TG
= -50 V, (See Note 5)
18
10
thermal characteristics
PARAMETER
MIN
TYP
MAX
UNIT
R
θ
JA
Junction to free air thermal resistance
160
°C/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TISPL758LF3DR INTEGRATED SYMMETRICAL AND ASYMMETRICAL BIDIRECTIONAL OVERVOLTAGE PROTECTORS FOR LUCENT TECHNOLOGIES L7581/2/3 LINE CARD ACCESS SWITCHES
TISPPBL1D DUAL FORWARD-CONDUCTING P-GATE THYRISTORS FOR ERICSSON COMPONENTS SLICS
TISPPBL1P DUAL FORWARD-CONDUCTING P-GATE THYRISTORS FOR ERICSSON COMPONENTS SLICS
TISPPBL2D DUAL FORWARD-CONDUCTING P-GATE THYRISTORS FOR ERICSSON COMPONENTS SLICS
TISPPBL2P DUAL FORWARD-CONDUCTING P-GATE THYRISTORS FOR ERICSSON COMPONENTS SLICS
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參數(shù)描述
TISPL758LF3DR 功能描述:硅對稱二端開關(guān)元件 RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復通態(tài)電流: 額定重復關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA
TISPL758LF3DR-S 功能描述:硅對稱二端開關(guān)元件 Lucent LCAS protector RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復通態(tài)電流: 額定重復關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA
TISPPBL1D 功能描述:SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
TISPPBL1DR 功能描述:SCR SURGE SUP 8-SOP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
TISPPBL1DR-S 功能描述:SCR SURGE SUP 8-SOP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
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