參數(shù)資料
型號(hào)： TISP4360H3BJ
廠商： Power Innovations International, Inc.
英文描述： BIDIRECTIONAL THYRISTOR OVERVOLTAGE PROTECTORS
中文描述： 雙向可控硅過(guò)電壓保護(hù)器
文件頁(yè)數(shù)： 3/16頁(yè)
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代理商： TISP4360H3BJ
3
JUNE 1999
TISP4360H3BJ
BIDIRECTIONAL THYRISTOR OVERVOLTAGE PROTECTORS
P R O D U C T I N F O R M A T I O N
electrical characteristics for the T and R terminals, T
A
= 25°C (unless otherwise noted)
PARAMETER
Repetitive peak off-
state current
Breakover voltage
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
±5
±10
±360
UNIT
I
DRM
V
D
= V
DRM
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
μA
V
(BO)
dv/dt = ±750 V/ms,
dv/dt
≤
±1000 V/μs, Linear voltage ramp,
Maximum ramp value = ±500 V
di/dt = ±20 A/μs, Linear current ramp,
Maximum ramp value = ±10 A
dv/dt = ±750 V/ms,
I
T
= ±5 A, t
W
= 100 μs
I
T
= ±5 A, di/dt = +/-30 mA/ms
R
SOURCE
= 300
V
V
(BO)
Impulse breakover
voltage
±372
V
I
(BO)
V
T
I
H
Breakover current
On-state voltage
Holding current
Critical rate of rise of
off-state voltage
Off-state current
R
SOURCE
= 300
±0.15
±0.6
±3
±0.6
A
V
A
±0.15
dv/dt
Linear voltage ramp, Maximum ramp value < 0.85V
DRM
±5
kV/μs
I
D
V
D
= ±50 V
f = 100 kHz,
f = 100 kHz,
f = 100 kHz,
f = 100 kHz,
f = 100 kHz,
T
A
= 85°C
±10
84
67
62
28
26
μA
C
off
Off-state capacitance
V
d
= 1 V rms, V
D
= 0,
V
d
= 1 V rms, V
D
= -1 V
V
d
= 1 V rms, V
D
= -2 V
V
d
= 1 V rms, V
D
= -50 V
V
d
= 1 V rms, V
D
= -100 V
70
60
55
24
22
pF
thermal characteristics
PARAMETER
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNIT
R
θ
JA
Junction to free air thermal resistance
EIA/JESD51-3 PCB, I
T
= I
TSM(1000)
,
T
A
= 25 °C, (see Note 6)
265 mm x 210 mm populated line card,
4-layer PCB, I
T
= I
TSM(1000)
, T
A
= 25 °C
113
°C/W
50
NOTE
6: EIA/JESD51-2 environment and PCB has standard footprint dimensions connected with 5 A rated printed wiring track widths.
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PDF描述
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參數(shù)描述
TISP4360H3BJR 功能描述:硅對(duì)稱(chēng)二端開(kāi)關(guān)元件 290V(DRM)500A(IPP)360V(BO)) RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA
TISP4360H3BJR-S 功能描述:硅對(duì)稱(chēng)二端開(kāi)關(guān)元件 PROTECTOR - SINGLE BIDIRECTIONAL RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA
TISP4360H4BJ 制造商:POINN 制造商全稱(chēng):Power Innovations Ltd 功能描述:BIDIRECTIONAL THYRISTOR OVERVOLTAGE PROTECTORS
TISP4360H4BJR 功能描述:硅對(duì)稱(chēng)二端開(kāi)關(guān)元件 RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA
TISP4360H4BJR-S 功能描述:硅對(duì)稱(chēng)二端開(kāi)關(guān)元件 RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA
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