參數(shù)資料
型號(hào)： TIP35B
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
中文描述： 25 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218AC
文件頁(yè)數(shù)： 1/6頁(yè)
文件大小： 170K
代理商： TIP35B
1
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
!#
" !
. . . for general–purpose power amplifier and switching applications.
25 A Collector Current
Low Leakage Current — ICEO = 1.0 mA @ 30 and 60 V
Excellent DC Gain — hFE = 40 Typ @ 15 A
High Current Gain Bandwidth Product —
hfe
= 3.0 min @ IC = 1.0 A,
f = 1.0 MHz
Rating
Symbol
TIP36B
TIP35B
TIP36C
Unit
40
Base Current — Continuous
Derate above 25 C
Peak (1)
Adc
5.0
Total Power Dissipation
125
Watts
Temperature Range
TJ, Tstg
THERMAL CHARACTERISTICS
Figure 1. Power Derating
TC, CASE TEMPERATURE (
°
C)
0
125
0
25
175
75
100
75
100
50
125
25
150
P
50
Preferred
devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
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by TIP35A/D
25 AMPERE
COMPLEMENTARY
SILICON
POWER TRANSISTORS
60–100 VOLTS
125 WATTS
*Motorola Preferred Device
CASE 340D–02
TO–218AC
REV 1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TIP35C COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
TIP36A COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
TIP36B COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
TIP36C COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
TIP35C NPN PLANAR SILICON TRANSISTOR(AUDIO POWER AMPLIFIER DC TO DC CONVERTER)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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TIP35C 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Pur Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
TIP35C 制造商:Bourns Inc 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-93
TIP35C_01 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR
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