參數(shù)資料
型號(hào)： TIP36A
廠(chǎng)商： MOTOROLA INC
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
中文描述： 25 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218AC
文件頁(yè)數(shù)： 1/6頁(yè)
文件大小： 170K
代理商： TIP36A
1
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
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" !
. . . for general–purpose power amplifier and switching applications.
25 A Collector Current
Low Leakage Current — ICEO = 1.0 mA @ 30 and 60 V
Excellent DC Gain — hFE = 40 Typ @ 15 A
High Current Gain Bandwidth Product —
hfe
= 3.0 min @ IC = 1.0 A,
f = 1.0 MHz
Rating
Symbol
TIP36B
TIP35B
TIP36C
Unit
40
Base Current — Continuous
Derate above 25 C
Peak (1)
Adc
5.0
Total Power Dissipation
125
Watts
Temperature Range
TJ, Tstg
THERMAL CHARACTERISTICS
Figure 1. Power Derating
TC, CASE TEMPERATURE (
°
C)
0
125
0
25
175
75
100
75
100
50
125
25
150
P
50
Preferred
devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
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by TIP35A/D
25 AMPERE
COMPLEMENTARY
SILICON
POWER TRANSISTORS
60–100 VOLTS
125 WATTS
*Motorola Preferred Device
CASE 340D–02
TO–218AC
REV 1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TIP36B COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
TIP36C COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
TIP35C NPN PLANAR SILICON TRANSISTOR(AUDIO POWER AMPLIFIER DC TO DC CONVERTER)
TIP36B Complementary Silicon High(互補(bǔ)型硅高功率晶體管)
TIP36C Complementary Silicon High(互補(bǔ)型硅高功率晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TIP36AG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25A 60V 125W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
TIP36A-S 功能描述:兩極晶體管 - BJT 60V 25A PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
TIP36B 功能描述:兩極晶體管 - BJT TO-218 PNP GP POWER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
TIP36BG 制造商:ONSEMI 制造商全稱(chēng):ON Semiconductor 功能描述:Complementary Silicon High?Power Transistors
TIP36B-S 功能描述:兩極晶體管 - BJT 80V 25A PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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