參數資料
型號: TIP3055
廠商: Power Innovations International, Inc.
英文描述: NPN SILICON POWER TRANSISTOR
中文描述: NPN硅功率晶體管
文件頁數: 3/6頁
文件大?。?/td> 108K
代理商: TIP3055
3
DECEMBER 1970 - REVISED MARCH 1997
TIP3055
NPN SILICON POWER TRANSISTOR
P R O D U C T I N F O R M A T I O N
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 1.
MAXIMUM SAFE OPERATING REGIONS
Figure 2.
TYPICAL DC CURRENT GAIN
vs
COLLECTOR CURRENT
I
C
- Collector Current - A
0·01
0·1
1·0
10
h
F
10
100
1000
TCS637AD
V
CE
= 4 V
T
C
= 25°C
t
p
= 300 μs, duty cycle < 2%
MAXIMUM FORWARD-BIAS
SAFE OPERATING AREA
V
CE
- Collector-Emitter Voltage - V
1·0
10
100
1000
I
C
0·1
1·0
10
100
SAS637AB
t
p
= 300 μs,
d = 0.1 = 10%
t
p
= 1 ms,
d = 0.1 = 10%
t
p
= 10 ms,
d = 0.1 = 10%
DC Operation
相關PDF資料
PDF描述
TIP31D POWER TRANSISTORS(3.0A,120-160V,40W)
TIP31E POWER TRANSISTORS(3.0A,120-160V,40W)
TIP31F POWER TRANSISTORS(3.0A,120-160V,40W)
TIP32D POWER TRANSISTORS(3.0A,120-160V,40W)
TIP32E POWER TRANSISTORS(3.0A,120-160V,40W)
相關代理商/技術參數
參數描述
TIP3055 制造商:Bourns Inc 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-93
TIP3055F 制造商:TRSYS 制造商全稱:Transys Electronics 功能描述:POWER TRANSISTORS
TIP3055G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 15A 60V 80W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
TIP3055HVF 制造商:CDIL 制造商全稱:Continental Device India Limited 功能描述:TO-3P Fully Isolated Plastic Package Transistor CDIL
TIP3055-S 功能描述:兩極晶體管 - BJT 60V 15A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2