參數(shù)資料
型號(hào)： TIP101
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor（Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistor）(NPN硅外延達(dá)林頓晶體管（內(nèi)置基極-射極分流電阻單片結(jié)構(gòu)）)
中文描述： 8 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 97K
代理商： TIP101
2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. B, February 2000
T
NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
V
CBO
Collector-Base Voltage : TIP100
: TIP101
: TIP102
V
CEO
Collector-Emitter Voltage : TIP100
: TIP101
: TIP102
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current (DC)
I
CP
Collector Current (Pulse)
I
B
Base Current (DC)
P
C
Collector Dissipation (T
a
=25
°
C)
P
C
Collector Dissipation (T
C
=25
°
C)
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
V
CEO
(sus)
Collector-Emitter Sustaining Voltage
Value
60
80
100
60
80
100
5
8
15
1
2
80
150
- 65 ~ 150
Units
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
W
W
°
C
°
C
Test Condition
Min.
Max.
Units
: TIP100
: TIP101
: TIP102
I
C
= 30mA, I
B
= 0
60
80
100
V
V
V
I
CEO
Collector Cut-off Current
: TIP100
: TIP101
: TIP102
V
CE
= 30V, I
B
= 0
V
CE
= 40V, I
B
= 0
V
CE
= 50V, I
B
= 0
50
50
50
μ
A
μ
A
μ
A
I
CBO
Collector Cut-off Current
: TIP100
: TIP101
: TIP102
V
CE
= 60V, I
E
= 0
V
CE
= 80V, I
E
= 0
V
CE
= 100V, I
E
= 0
V
EB
= 5V, I
C
= 0
V
CE
= 4V, I
C
= 3A
V
CE
= 4V, I
C
= 8A
I
C
= 3A, I
B
= 6mA
I
C
= 8A, I
B
= 80mA
V
CE
= 4V, I
C
= 8A
V
CB
= 10V, I
E
= 0, f = 0.1MHz
50
50
50
2
2000
μ
A
μ
A
μ
A
mA
I
EBO
h
FE
Emitter Cut-off Current
DC Current Gain
1000
200
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
2
2.5
2.8
200
V
V
V
pF
V
BE
(on)
C
ob
Base-Emitter ON Voltage
Output Capacitance
TIP100/101/102
Monolithic Construction With Built In Base-
Emitter Shunt Resistors
High DC Current Gain : h
FE
=1000 @ V
CE
=4v, I
C
=3A (Min.)
Collector-Emitter Sustaining Voltage
Low Collector-Emitter Saturation Voltage
Industrial Use
Complementary to TIP105/106/107
1.Base 2.Collector 3.Emitter
TO-220
1
Equivalent Circuit
B
E
C
R1
R2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TIP102 NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor（Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistor）(NPN硅外延達(dá)林頓晶體管（內(nèi)置基極-射極分流電阻單片結(jié)構(gòu)）)
TIP101 Plastic Medium(塑料中等功率互補(bǔ)型硅晶體管)
TIP102 Plastic Medium(塑料中等功率互補(bǔ)型硅晶體管)
TIP105 Plastic Medium(塑料中等功率互補(bǔ)型硅晶體管)
TIP105 PNP Epitaxial Silicon Darlington Transistor（Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistor）(PNP硅外延達(dá)林頓晶體管（內(nèi)置基極-射極分流電阻單片結(jié)構(gòu)）)
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參數(shù)描述
TIP101-B 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8.0A 80V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
TIP101-BP 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8.0A 80V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
TIP101G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 8A 80V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
TIP101-S 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN DARLINGTON 80V 8A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
TIP101TU 功能描述:達(dá)林頓晶體管 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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