參數(shù)資料
型號(hào)： TIM1011-4L
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： MICROWAVE POWER GaAs FET
中文描述： 微波功率GaAs場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大小： 156K
代理商： TIM1011-4L
T IM1011-4L
Power Dissipation(PT) vs. Case Temperature(Tc)
4
0
P
40
30
20
10
0
Tc(
°
C )
40
80
120
160
200
IM
3
vs. OUTPUT POWER CHARACTERISTICS
-10
V
DS
= 9 V
f= 11.7GHz
Δ
f= 5MHz
-20
-30
I
3
(
-40
-50
-60
20
22
24
26
28
30
Po(dBm), Single Carrier Level
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PDF描述
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TIM1011-8UL 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR, GAAS FET INTERNALLY MATCHED, 11GHZ, 60W - Trays
TIM104K035P0X 功能描述:鉭質(zhì)電容器-固體鉛 0.1uF 35Volts RoHS:否 制造商:Kemet 電容:100 uF 電壓額定值:60 V ESR:100 mOhms 容差:10 % 端接類(lèi)型:Axial 工作溫度范圍:- 55 C to + 105 C 尺寸:7.92 mm Dia. x 16.28 mm L 引線間隔: 系列:T550 產(chǎn)品:Tantalum Solid Hermetically Sealed 封裝:Tray
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