參數(shù)資料
型號(hào)： TIM1011-4L
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： MICROWAVE POWER GaAs FET
中文描述： 微波功率GaAs場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 156K
代理商： TIM1011-4L
T IM1011-4L
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ( Ta= 25
°
C )
CHARACTERISTICS
SYMBOL
V
DS
V
GS
I
DS
P
T
T
ch
T
stg
UNIT
RATING
Drain-Source Voltage
V
15
Gate-Source Voltage
V
-5
Drain Current
Total Power Dissipation (Tc= 25
°
C)
Channel Temperature
A
5.2
W
°
C
°
C
42.8
175
Storage Temperature
-65 to +175
PACKAGE OUTLINE (2-9D1B)
HANDLING PRECAUTIONS FOR PACKAGE MODEL
Soldering iron should be grounded and the operating time should not exceed 10 seconds
at 260
°
C.
2
Unit: mm
(1) Gate
(2) Source
(3) Drain
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PDF描述
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TIM1011-8L 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR, GAAS FET INTERNALLY MATCHED, 11GHZ, 60W - Trays
TIM1011-8UL 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR, GAAS FET INTERNALLY MATCHED, 11GHZ, 60W - Trays
TIM104K035P0X 功能描述:鉭質(zhì)電容器-固體鉛 0.1uF 35Volts RoHS:否 制造商:Kemet 電容:100 uF 電壓額定值:60 V ESR:100 mOhms 容差:10 % 端接類型:Axial 工作溫度范圍:- 55 C to + 105 C 尺寸:7.92 mm Dia. x 16.28 mm L 引線間隔: 系列:T550 產(chǎn)品:Tantalum Solid Hermetically Sealed 封裝:Tray
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