參數(shù)資料
型號： TIC225D
廠商： Power Innovations International, Inc.
英文描述： SILICON TRIACS
中文描述： 硅雙向可控硅
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 150K
代理商： TIC225D
TIC225 SERIES
SILICON TRIACS
4
JULY 1975 - REVISED MARCH 1997
P R O D U C T I N F O R M A T I O N
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 7.
PARAMETER MEASUREMENT INFORMATION
MAXIMUM RMS ON-STATE CURRENT
vs
T
C
- Case Temperature - °C
0
25
50
75
100
125
150
I
T
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
TI07AB
CASE TEMPERATURE
V
AC
V
MT2
I
MT2
DUT
See
Note A
R
G
C1
R1
I
G
V
AC
I
MT2
V
MT2
I
G
I
TRM
dv/dt
10%
63%
L1
V
DRM
50 Hz
PMC2AA
NOTE A: The gate-current pulse is furnished by a trigger circuit which presents essentially an open circuit between pulses. The pulse is timed
so that the off-state-voltage duration is approximately 800 μs.
Figure 8.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TIC225M SILICON TRIACS
TIC225N SILICON TRIACS
TIC225S SILICON TRIACS
TIC226 SILICON TRIACS
TIC226D SILICON TRIACS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TIC225D-S 功能描述:雙向可控硅 400V 8A TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
TIC225E 制造商:COMSET 制造商全稱:Comset Semiconductor 功能描述:SILICON BIDIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR
TIC225M 制造商:Bourns Inc 功能描述:TRIAC 600V 8A
TIC225M 制造商:Bourns Inc 功能描述:TRIAC 8A 600V TO-220
TIC225M-S 功能描述:雙向可控硅 600V 8A TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*