參數(shù)資料
型號(hào): TIC106M
廠商: Texas Instruments, Inc.
英文描述: PNP SILICON REVERSE BLOCKING TRIODE THYRISTORS
中文描述: 進(jìn)步黨硅反向阻斷三極晶閘管
文件頁(yè)數(shù): 6/8頁(yè)
文件大小: 165K
代理商: TIC106M
TIC106 SERIES
SILICON CONTROLLED RECTIFIERS
6
APRIL 1971 - REVISED MARCH 1997
P R O D U C T I N F O R M A T I O N
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 11.
Figure 12.
Figure 13.
PEAK ON-STATE VOLTAGE
vs
PEAK ON-STATE CURRENT
I
TM
- Peak On-State Current - A
0·1
1
10
V
T
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
TC20AE
T
C
= 25 °C
t
p
= 300 μs
Duty Cycle
2 %
GATE-CONTROLLED TURN-ON TIME
vs
GATE CURRENT
I
G
- Gate Current - mA
0·1
1
10
t
g
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
TC20AF
V
AA
= 30 V
R
L
= 6
T
C
= 25 °C
See Test Circuit and Waveforms
CIRCUIT-COMMUTATED TURN-OFF TIME
vs
T
C
- Case Temperature - °C
20
40
60
80
100
120
t
q
0
2
4
6
8
10
12
14
16
TC20AG
CASE TEMPERATURE
V
AA
= 30 V
R
L
= 6
I
RM
8 A
See Test Circuit and Waveforms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TIC106D SILICON CONTROLLED RECTIFIERS
TIC106M SILICON CONTROLLED RECTIFIERS
TIC106N SILICON CONTROLLED RECTIFIERS
TIC106S SILICON CONTROLLED RECTIFIERS
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參數(shù)描述
TIC106M-S 功能描述:SCR 600V 5A SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流(Ih 最大值):75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
TIC106N 制造商:Bourns Inc 功能描述:THYRISTOR 5A 800V TO-220
TIC106N 制造商:Bourns Inc 功能描述:THYRISTOR 5A 800V TO-220
TIC106NS 制造商:Bourns Inc 功能描述:
TIC106N-S 功能描述:SCR 800V 5A SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流(Ih 最大值):75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube