參數(shù)資料
型號： TIC106M
廠商： Texas Instruments, Inc.
英文描述： PNP SILICON REVERSE BLOCKING TRIODE THYRISTORS
中文描述： 進(jìn)步黨硅反向阻斷三極晶閘管
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 165K
代理商： TIC106M
TIC106 SERIES
SILICON CONTROLLED RECTIFIERS
4
APRIL 1971 - REVISED MARCH 1997
P R O D U C T I N F O R M A T I O N
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 3.
Figure 4.
Figure 5.
Figure 6.
AVERAGE ANODE ON-STATE CURRENT
DERATING CURVE
T
C
- Case Temperature - °C
30
40
50
60
70
80
90
100
110
I
T
0
1
2
3
4
5
6
TI20AA
Φ
= 180o
Continuous DC
Conduction
Angle
Φ
0°
180°
MAX CONTINUOUS ANODE POWER DISSIPATED
vs
I
T
- Continuous On-State Current - A
1
10
100
P
A
1
10
100
TI20AB
CONTINUOUS ON-STATE CURRENT
T
J
= 110°C
SURGE ON-STATE CURRENT
vs
Consecutive 50 Hz Half-Sine-Wave Cycles
1
10
100
I
T
1
10
100
TI20AC
CYCLES OF CURRENT DURATION
T
C
≤
80 °C
No Prior Device Conduction
Gate Control Guaranteed
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE
vs
Consecutive 50 Hz Half-Sine-Wave Cycles
1
10
100
R
θ
J
0·1
1
10
TI20AD
CYCLES OF CURRENT DURATION
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PDF描述
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參數(shù)描述
TIC106M-S 功能描述:SCR 600V 5A SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
TIC106N 制造商:Bourns Inc 功能描述:THYRISTOR 5A 800V TO-220
TIC106N 制造商:Bourns Inc 功能描述:THYRISTOR 5A 800V TO-220
TIC106NS 制造商:Bourns Inc 功能描述:
TIC106N-S 功能描述:SCR 800V 5A SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
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