參數(shù)資料
型號： TE28F256P30T85
廠商： INTEL CORP
元件分類： DRAM
英文描述： Intel StrataFlash Embedded Memory
中文描述： 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 88 ns, PDSO56
封裝： 14 X 20 MM, TSOP-56
文件頁數(shù)： 92/102頁
文件大?。?/td> 1609K
代理商： TE28F256P30T85
1-Gbit P30 Family
April 2005
92
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
Datasheet
Figure 47.
Protection Register Programming Flowchart
FULL STATUS CHECK PROCEDURE
Program Protection Register operation addresses must be
within the Protection Register address space. Addresses
outside this space will return an error.
Repeat for subsequent programming operations.
Full Status Register check can be done after each program, or
after a sequence of program operations.
Write 0xFF after the last operation to set Read Array state.
Only the Clear Staus Register command clears SR[1, 3, 4].
If an error is detected, clear the Status register before
attempting a program retry or other error recovery.
1
0
1
1
1
PROTECTION REGISTER PROGRAMMING PROCEDURE
Start
Write 0xC0,
PR Address
Write PR
Address & Data
Read Status
Register
SR[7] =
Full Status
Check
(if desired)
Program
Complete
Read Status
Register Data
Program
Successful
SR[3] =
SR[4] =
SR[1] =
V
PP
Range Error
Program Error
Register Locked;
Program Aborted
Idle
Idle
Bus
Operation
None
None
Command
Check SR[3]:
1 =V
PP
Range Error
Check SR[4]:
1 =Programming Error
Comments
Write
Write
Idle
Program
PR Setup
Protection
Program
None
Data = 0xC0
Addr = First Location to Program
Data = Data to Program
Addr = Location to Program
Check SR[7]:
1 = WSM Ready
0 = WSM Busy
OpBus
Comments
Read
None
Status Register Data.
Idle
None
Check SR[1]:
1 =Block locked; operation aborted
(Program Setup)
(Confirm Data)
0
0
0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TE28F640P30B85 Intel StrataFlash Embedded Memory
TE28F640P30T85 Intel StrataFlash Embedded Memory
TE28F128P30B85 Intel StrataFlash Embedded Memory
TE28F160B3-B120 SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE
TE28F800B3-B120 SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TE28F256P30T95 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:Numonyx StrataFlash Embedded Memory
TE28F256P30T95A 功能描述:IC FLASH 256MBIT 95NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
TE28F256P30TFA 功能描述:IC FLASH 256MBIT 110NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Axcell™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
TE28F256P33B95A 功能描述:IC FLASH 256MBIT 95NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:32K (4K x 8) 速度:100kHz，400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:CAV24C32WE-GT3OSTR
TE28F256P33BFA 功能描述:IC FLASH 256MBIT 105NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:32K (4K x 8) 速度:100kHz，400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:CAV24C32WE-GT3OSTR
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*