參數(shù)資料
型號(hào)： TE28F256P30T85
廠商： INTEL CORP
元件分類： DRAM
英文描述： Intel StrataFlash Embedded Memory
中文描述： 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 88 ns, PDSO56
封裝： 14 X 20 MM, TSOP-56
文件頁(yè)數(shù)： 102/102頁(yè)
文件大?。?/td> 1609K
代理商： TE28F256P30T85
1-Gbit P30 Family
April 2005
102
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
Datasheet
Appendix F Ordering Information for SCSP Products
Figure 49.
Decoder for SCSP Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
F 4 0
P 0 Z B
8
D 4
R
0 0
Q
Group Designator
48F = Flash Memory only
Package Designator
RD = Intel
SCSP, leaded
PF = Intel
SCSP, lead-free
RC = 64-Ball Easy BGA, leaded
PC = 64-Ball Easy BGA, lead-free
Flash Density
0 = No die
2 = 64-Mbit
3 = 128-Mbit
4 = 256-Mbit
F
F
F
F
F
F
0
Product Family
P = Intel StrataFlash Embedded Memory
0 = No die
Device Details
0 = Original version of the product
(refer to the latest version of the
datasheet for details)
Ballout Designator
Q = QUAD ballout
0 = Discrete ballout
Parameter, Mux Configuration
B = Bottom Parameter, Non Mux
T = Top Parameter, Non Mux
I/O Voltage, CE# Configuration
Z = 3.0 V, Individual Chip Enable(s)
V = 3.0 V, Virtual Chip Enable(s)
Table 42.
Valid Combinations for Stacked Products
64-Mbit
128-Mbit
256-Mbit
512-Mbit
1-Gbit
RD48F2000P0ZBQ0
RD48F3000P0ZBQ0
RD48F4000P0ZBQ0
RD48F4400P0VBQ0
RD48F4444PPVBQ0
RD48F2000P0ZTQ0
RD48F3000P0ZTQ0
RD48F4000P0ZTQ0
RD48F4400P0VTQ0
RD48F4444PPVTQ0
PF48F2000P0ZBQ0
PF48F3000P0ZBQ0
PF48F4000P0ZBQ0
PF48F4400P0VBQ0
PF48F4444PPVBQ0
PF48F2000P0ZTQ0
PF48F3000P0ZTQ0
PF48F4000P0ZTQ0
PF48F4400P0VTQ0
PF48F4444PPVTQ0
RC48F4400P0VB00
RC48F4400P0VT00
PC48F4400P0VB00
PC48F4400P0VT00
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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TE28F640P30T85 Intel StrataFlash Embedded Memory
TE28F128P30B85 Intel StrataFlash Embedded Memory
TE28F160B3-B120 SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE
TE28F800B3-B120 SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE
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參數(shù)描述
TE28F256P30T95 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:Numonyx StrataFlash Embedded Memory
TE28F256P30T95A 功能描述:IC FLASH 256MBIT 95NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱:71P71804S200BQ
TE28F256P30TFA 功能描述:IC FLASH 256MBIT 110NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:Axcell™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱:71P71804S200BQ
TE28F256P33B95A 功能描述:IC FLASH 256MBIT 95NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:32K (4K x 8) 速度:100kHz，400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:CAV24C32WE-GT3OSTR
TE28F256P33BFA 功能描述:IC FLASH 256MBIT 105NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:32K (4K x 8) 速度:100kHz，400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:CAV24C32WE-GT3OSTR
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