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參數(shù)資料
| 型號： | TE28F128P30xxx |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| 中文描述： | 英特爾StrataFlash嵌入式存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 102/102頁 |
| 文件大小： | 1609K |
| 代理商： | TE28F128P30XXX |
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1-Gbit P30 Family
April 2005
102
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
Datasheet
Appendix F Ordering Information for SCSP Products
Figure 49.
Decoder for SCSP Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
F 4 0
P 0 Z B
8
D 4
R
0 0
Q
Group Designator
48F = Flash Memory only
Package Designator
RD = Intel
SCSP, leaded
PF = Intel
SCSP, lead-free
RC = 64-Ball Easy BGA, leaded
PC = 64-Ball Easy BGA, lead-free
Flash Density
0 = No die
2 = 64-Mbit
3 = 128-Mbit
4 = 256-Mbit
F
F
F
F
F
F
0
Product Family
P = Intel StrataFlash Embedded Memory
0 = No die
Device Details
0 = Original version of the product
(refer to the latest version of the
datasheet for details)
Ballout Designator
Q = QUAD ballout
0 = Discrete ballout
Parameter, Mux Configuration
B = Bottom Parameter, Non Mux
T = Top Parameter, Non Mux
I/O Voltage, CE# Configuration
Z = 3.0 V, Individual Chip Enable(s)
V = 3.0 V, Virtual Chip Enable(s)
Table 42.
Valid Combinations for Stacked Products
64-Mbit
128-Mbit
256-Mbit
512-Mbit
1-Gbit
RD48F2000P0ZBQ0
RD48F3000P0ZBQ0
RD48F4000P0ZBQ0
RD48F4400P0VBQ0
RD48F4444PPVBQ0
RD48F2000P0ZTQ0
RD48F3000P0ZTQ0
RD48F4000P0ZTQ0
RD48F4400P0VTQ0
RD48F4444PPVTQ0
PF48F2000P0ZBQ0
PF48F3000P0ZBQ0
PF48F4000P0ZBQ0
PF48F4400P0VBQ0
PF48F4444PPVBQ0
PF48F2000P0ZTQ0
PF48F3000P0ZTQ0
PF48F4000P0ZTQ0
PF48F4400P0VTQ0
PF48F4444PPVTQ0
RC48F4400P0VB00
RC48F4400P0VT00
PC48F4400P0VB00
PC48F4400P0VT00
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TE28F256P30B85 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| TE28F256P30T85 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| TE28F640P30B85 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| TE28F640P30T85 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| TE28F128P30B85 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TE28F128P33B85A | 功能描述:IC FLASH 128MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| TE28F128P33T85A | 功能描述:IC FLASH 128MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 標準包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應商設備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR) |
| TE28F160B3 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F160B3B110 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F160B3B120 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE |
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