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參數資料
| 型號： | TE28F128P30B85 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| 中文描述： | 8M X 16 FLASH 1.8V PROM, 85 ns, PDSO56 |
| 封裝： | 14 X 20 MM, TSOP-56 |
| 文件頁數： | 84/102頁 |
| 文件大?。?/td> | 1609K |
| 代理商： | TE28F128P30B85 |
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1-Gbit P30 Family
April 2005
84
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
Datasheet
5.
The Clear Status command only clears the error bits in the status register if the device is not in the following modes: WSM
running (Pgm Busy, Erase Busy, Pgm Busy In Erase Suspend, OTP Busy, BEFP modes).
BEFP writes are only allowed when the status register bit #0 = 0, or else the data is ignored.
The "current state" is that of the "chip" and not of the "partition"; Each partition "remembers" which output (Array, ID/CFI or
Status) it was last pointed to on the last instruction to the "chip", but the next state of the chip does not depend on where
the partition's output mux is presently pointing to.
Confirm commands (Lock Block, Unlock Block, Lock-Down Block, Configuration Register) perform the operation and then
move to the Ready State.
WA0 refers to the block address latched during the first write cycle of the current operation.
6.
7.
8.
9.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TE28F160B3-B120 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE |
| TE28F800B3-B120 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE |
| TE28F400B3-B120 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE |
| TE28F160B3-B150 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE |
| TE28F800B3-B150 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| TE28F128P30B85A | 功能描述:IC FLASH 128MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| TE28F128P30T85 | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:Numonyx StrataFlash Embedded Memory |
| TE28F128P30T85A | 功能描述:IC FLASH 128MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| TE28F128P30XXX | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Embedded Memory |
| TE28F128P33B85A | 功能描述:IC FLASH 128MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
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