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參數(shù)資料
| 型號： | TE28F128P30B85 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| 中文描述： | 8M X 16 FLASH 1.8V PROM, 85 ns, PDSO56 |
| 封裝： | 14 X 20 MM, TSOP-56 |
| 文件頁數(shù)： | 56/102頁 |
| 文件大小： | 1609K |
| 代理商： | TE28F128P30B85 |
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1-Gbit P30 Family
April 2005
56
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
Datasheet
See
Figure 29, “Example Latency Count Setting using Code 3
.
Figure 28.
First-Access Latency Count
Code 1
(Reserved
Code 6
Code 5
Code 4
Code 3
Code 2
Code 0 (Reserved)
Code 7
Valid
Address
Valid
Output
Valid
Output
Valid
Output
Valid
Output
Valid
Output
Valid
Output
Valid
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Valid
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Valid
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Valid
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Valid
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Valid
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Valid
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Valid
Output
Valid
Output
Valid
Output
Valid
Output
Address [A]
ADV# [V]
DQ
15-0
[D/Q]
CLK [C]
DQ
15-0
[D/Q]
DQ
15-0
[D/Q]
DQ
15-0
[D/Q]
DQ
15-0
[D/Q]
DQ
15-0
[D/Q]
DQ
15-0
[D/Q]
DQ
15-0
[D/Q]
Table 23.
LC and Frequency Support
Latency Count Settings
Frequency Support (MHz)
2
≤ 27
3
≤ 40
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TE28F160B3-B120 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE |
| TE28F800B3-B120 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE |
| TE28F400B3-B120 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE |
| TE28F160B3-B150 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE |
| TE28F800B3-B150 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TE28F128P30B85A | 功能描述:IC FLASH 128MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| TE28F128P30T85 | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:Numonyx StrataFlash Embedded Memory |
| TE28F128P30T85A | 功能描述:IC FLASH 128MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| TE28F128P30XXX | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Embedded Memory |
| TE28F128P33B85A | 功能描述:IC FLASH 128MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
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