參數(shù)資料
型號: TCST1030
廠商: Vishay Semiconductors
文件頁數(shù): 2/11頁
文件大?。?/td> 236K
描述: SENSR OPTO SLOT 3.1MM TRANS THRU
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 65
系列: *
檢測距離: 0.122"(3.1mm)
檢測方法: 可傳導(dǎo)的
輸出配置: 光電晶體管
電流 - DC 正向(If): 60mA
電流 - 集電極 (Ic)(最大): 100mA
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大): 70V
響應(yīng)時間: 15µs,10µs
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: 開槽模塊,4 引線雙排
包裝: 管件
類型: 無放大
工作溫度: -25°C ~ 85°C
 
www.vishay.com
For technical questions, contact: sensorstechsupport@vishay.com
Document Number: 83763
2
Rev. 1.8, 20-Sep-10
TCST1030
Vishay Semiconductors
Transmissive Optical Sensor with
Phototransistor Output
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Fig. 1 - Power Dissipation Limit vs. Ambient Temperature
OUTPUT (DETECTOR)
Collector emitter voltage
V
CEO
70
V
Emitter collector voltage
V
ECO
7
V
Collector current
I
C
100
mA
Power dissipation
T
amb
 d 25 癈
P
V
150
mW
Junction temperature
T
j
100
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
amb
 = 25 癈, unless otherwise specified)
PARAMETER
TEST CONDITION
SYMBOL
VALUE
UNIT
0
0
100
200
300
400
95 11088
T
amb
- Ambient Temperature (癈)
Coupled device
Phototransistor
IR-diode
150
120
90
60
30
BASIC CHARACTERISTICS (T
amb
 = 25 癈, unless otherwise specified)
PARAMETER
TEST CONDITION
SYMBOL    MIN.
TYP.
MAX.    UNIT
COUPLER
Collector current
V
CE
 = 5 V, I
F
 = 10 mA
I
C
1.2
2.4
mA
Collector emitter saturation
voltage
I
F
 = 10 mA, I
C
 = 1 mA
V
CEsat
0.8
V
INPUT (EMITTER)
Forward voltage
I
F
 = 60 mA
V
F
1.25
1.5
V
Junction capacitance
V
R
 = 0 V, f = 1 MHz
C
j
50
pF
OUTPUT (DETECTOR)
Collector emitter voltage
I
C
 = 1 mA
V
CEO
70
V
Emitter collector voltage
I
E
 = 10 糀
V
ECO
7
V
Collector dark current
V
CE
 = 25 V, I
F
 = 0 A, E = 0 lx    I
10
100
nA
SWITCHING CHARACTERISTICS
Turn-on time
I
C
 = 1 mA, V
CE
 = 5 V,
R
L
 = 100 ?(see figure 2)
t
on
15
Turn-off time
I
C
 = 1 mA, V
CE
 = 5 V,
R
L
 = 100 ?(see figure 2)
t
off
10
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PDF描述
TCST2103 SENSR OPTO SLOT 3.1MM TRANS THRU
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