參數(shù)資料
型號： TCS59SM808BFTL-75
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： 8M×4Banks×8Bits Synchronous DRAM(4組8M×8位同步動態(tài)RAM)
中文描述： 8米× 4Banks × 8位同步DRAM（4組8米× 8位同步動態(tài)RAM）的
文件頁數(shù)： 4/49頁
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代理商： TCS59SM808BFTL-75
TC59SM816/08/04BFT/BFTL-70,-75,-80
2000-03-14 4/49
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
SYMBOL
PARAMETER
RATING
UNITS
NOTES
V
IN
, V
OUT
Input, Output Voltage
0.3~V
CC
+
0.3
V
1
V
CC
, V
CCQ
Power Supply Voltage
0.3~4.6
V
1
T
opr
Operating Temperature
0~70
°C
1
T
stg
Storage Temperature
55~150
°C
1
T
solder
Soldering Temperature (10s)
260
°C
1
P
D
Power Dissipation
1
W
1
I
OUT
Short-Circuit Output Current
50
mA
1
RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS
(Ta
=
0°~70°C)
SYMBOL
PARAMETER
MIN
TYP.
MAX
UNITS
NOTES
V
CC
Power
Supply Voltage
3
3.3
3.6
V
2
V
CCQ
Power Supply Voltage (for DQ Buffer)
3
3.3
3.6
V
2
V
IH
LVTTL Input High Voltage
2
V
CC
+
0.3
V
2
V
IL
LVTTL Input Low Voltage
0.3
0.8
V
2
Note: V
IH
(max)
=
V
CC
/V
CCQ
+
1.2
V for pulse width
≤
5
ns
V
IL
(min)
=
V
SS
/V
SSQ
1.2 V for pulse width
≤
5 ns
V
CCQ
must be less than or equal to V
CC
.
CAPACITANCE
(V
CC
=
3.3 V, f
=
1 MHz, Ta
=
25°C)
SYMBOL
PARAMETER
MIN
MAX
UNIT
Input Capacitance
(A0~A12, BS0, BS1,
CS
,
RAS
,
CAS
,
WE , DQM
*
, CKE)
4
pF
C
I
Input Capacitance (CLK)
5
pF
C
O
Input/Output Capacitance
6.5
pF
Note: These parameters are periodically sampled and not 100% tested.
*
LDQM, UDQM (TC59SM816)
相關PDF資料
PDF描述
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