參數(shù)資料
型號(hào)： TC58FVB004FT-10
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： 4M (512K x 8) BIT CMOS FLASH MEMORY
中文描述： 4分（為512k × 8）位CMOS閃存
文件頁(yè)數(shù)： 1/26頁(yè)
文件大小： 1439K
代理商： TC58FVB004FT-10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TC58FVB004FT-12 Shielding Gasket; Conductive Surface:CuNi; Gasket Style:D-Shaped; Surface Resistivity/Lin:0.010"; Body Material:nickel plate over copper substrate; Length:24"; Mounting Type:Adhesive; Thickness:0.125"; Width:0.187"
TC58FVB004FT-85 4M (512K x 8) BIT CMOS FLASH MEMORY
TC58FVT004-12 4M (512K x 8) BIT CMOS FLASH MEMORY
TC58FVT004-85 4M (512K x 8) BIT CMOS FLASH MEMORY
TC58FVT004-10 4M (512K x 8) BIT CMOS FLASH MEMORY
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參數(shù)描述
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