參數(shù)資料
型號: TC58DVM82F1FT00
廠商: Toshiba Corporation
英文描述: 128-MBIT (16M x 8 BITS/8M x 16BITS) CMOS NAND E2PROM
中文描述: 128兆位(16米x 8 BITS/8M x 16位)的CMOS NAND型E2PROM的
文件頁數(shù): 13/34頁
文件大小: 369K
代理商: TC58DVM82F1FT00
TC58DVM72A1FT00/ TC58DVM72F1FT00
TC58DAM72A1FT00/ TC58DAM72F1FT00
2003-01-24 13/34
Sequential Read (3) Timing Diagram
A0 to A7 A9 to A16 A17toA23
t
R
WE
CLE
CE
ALE
RE
BY
/
RY
Column
address
N
527
527
50H
t
R
Page
address
M
Page M
access
Page M 1
access
: V
IH
or V
IL
I/O1
to I/O8
512
N
512
N 1
512
N 2
512
513
相關PDF資料
PDF描述
TC58FVB160-10 16M Bit (1M×16 Bit/2M×8 Bit) CMOS Flash Memory(16M位 CMOS閃速存儲器)
TC58FVB160-12 16M Bit (1M×16Bits ) CMOS NAND EEPROM(16M CMOS與非EEPROM)
TC58FVB160-85 16M Bit (1M×16Bits ) CMOS NAND EEPROM(16M CMOS與非EEPROM)
TC58V16BDC 16M Bit(2M x 8 Bit) CMOS NAND EEPROM(16M 位(2M x 8位) CMOS 與非 EEPROM)
TC58V16BFT 16MB(2M x8Bits)CMOS NAND Flash EEPROM(16MB CMOS 與非閃速EEPROM)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
TC58DVM92A1FT 功能描述:IC FLASH 512MBIT 50NS 48TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
TC58DVM92A1FT (YBEL) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:
TC58DVM92A1FT00 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
TC58DVM92A1FT00BBH 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:
TC58DVM92A1FTI 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:512 Mb (64M x 8) Nand, Flash Memory