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參數(shù)資料
| 型號： | TC58DAM82F1FT00 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | 128-MBIT (16M x 8 BITS/8M x 16BITS) CMOS NAND E2PROM |
| 中文描述： | 128兆位（16米x 8 BITS/8M x 16位）的CMOS NAND型E2PROM的 |
| 文件頁數(shù)： | 4/34頁 |
| 文件大?。?/td> | 369K |
| 代理商： | TC58DAM82F1FT00 |
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TC58DVM72A1FT00/ TC58DVM72F1FT00
TC58DAM72A1FT00/ TC58DAM72F1FT00
2003-01-24 4/34
VALID BLOCKS (1)
SYMBOL
PARAMETER
MIN
TYP.
MAX
UNIT
N
VB
Number of Valid Blocks
1004
1024
Blocks
(1) The device occasionally contains unusable blocks. Refer to Application Note (13) toward the end of this document.
(2) The first block (block address #00) is guaranteed to be a valid block at the time of shipment.
RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS
TC58DVM72A1xxxx,TC58DVM72F1xxxx
SYMBOL
PARAMETER
MIN
TYP.
MAX
UNIT
V
CC
Power Supply Voltage
2.7
3.3
3.6
V
V
CCQ
I/O Port Power Supply Voltage
2.7
3.6
V
V
IH
High Level input Voltage
2.0
V
CCQ
0.3
V
V
IL
Low Level Input Voltage
0.3
*
0.8
V
*
2 V (pulse width lower than 20 ns)
TC58DAM72A1xxxx,TC58DAM72F1xxxx
SYMBOL
PARAMETER
MIN
TYP.
MAX
UNIT
V
CC
Power Supply Voltage
2.7
3.3
3.6
V
V
CCQ
I/O Port Power Supply Voltage
1.65
1.8
1.95
V
V
IH
High Level input Voltage
V
CCQ
X 0.78
V
CCQ
0.3
V
V
IL
Low Level Input Voltage
0.3
*
V
CCQ
X 0.22
V
*
2 V (pulse width lower than 20 ns)
DC CHARACTERISTICS
(Ta = 0° to 70°C, V
CC
2.7 V to 3.6 V)
SYMBOL
PARAMETER
CONDITION
MIN
TYP.
MAX
UNIT
I
IL
Input Leakage Current
V
IN
0 V to V
CCQ
r
10
P
A
I
LO
Output Leakage Current
V
OUT
0 V to V
CCQ
10
P
A
I
CCO1
Operating Current (Serial Read)
CE
V
IL
, I
OUT
0 mA, t
cycle
50 ns
10
30
mA
I
CCO3
Operating Current
(Command Input)
t
cycle
50 ns
10
30
mA
I
CCO4
Operating Current (Data Input)
t
cycle
50 ns
10
30
mA
I
CCO5
Operating Current
(Address Input)
t
cycle
50 ns
10
30
mA
I
CCO7
Programming Current
10
30
mA
I
CCO8
Erasing Current
10
30
mA
I
CCS1
Standby Current
CE
V
IH,
WP
0 V/V
CCQ
1
mA
I
CCS2
Standby Current
CE
V
CCQ
0.2 V, WP
0 V/V
CCQ
10
50
P
A
V
OH
High Level Output Voltage
I
OH
mA
V
CCQ
-0.5
V
V
OL
Low Level Output Voltage
I
OL
2.1 mA
0.4
V
I
OL
(
BY
/
RY
)
Output Current of
BY
/
RY
pin
V
OL
0.4 V
8
mA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TC58DVM72A1F | 128-MBIT (16M x 8 BITS/8M x 16BITS) CMOS NAND E2PROM |
| TC58DVM72A1FT00 | 128-MBIT (16M x 8 BITS/8M x 16BITS) CMOS NAND E2PROM |
| TC58DVM72F1FT00 | 128-MBIT (16M x 8 BITS/8M x 16BITS) CMOS NAND E2PROM |
| TC58DVM82A1FT00 | 128-MBIT (16M x 8 BITS/8M x 16BITS) CMOS NAND E2PROM |
| TC58DVM82F1FT00 | 128-MBIT (16M x 8 BITS/8M x 16BITS) CMOS NAND E2PROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| TC58DVG02A1FT00 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
| TC58DVG02A1FT00BBH | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| TC58DVG02A1FT00BBQ | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| TC58DVG02A5TA00 | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:1GB SLC NAND TSOP 43NM SB (EEPROM) - Trays |
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