型號: | TC55V8512JI-12 |
廠商: | Toshiba Corporation |
英文描述: | TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
中文描述: | 東芝馬鞍山數(shù)字集成電路硅柵CMOS |
文件頁數(shù): | 1/10頁 |
文件大?。?/td> | 169K |
代理商: | TC55V8512JI-12 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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TC55V8512JI-15 | TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
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參數(shù)描述 |
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TC55VBM316AFTN55 | 功能描述:IC SRAM 8MBIT 55NS 48TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN(2x3) 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF) |