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參數(shù)資料
| 型號： | TA32912Q |
| 廠商： | DYNEX SEMICONDUCTOR LTD |
| 元件分類： | 晶閘管 |
| 英文描述： | Asymmetric Thyristor |
| 中文描述： | 370 A, 1200 V, ASSYMETRIC SCR |
| 封裝： | MU86, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 6/10頁 |
| 文件大小： | 102K |
| 代理商： | TA32912Q |
TA329..Q
6/10
Fig.5 Maximum allowable peak on-state current vs pulse width for Tcase = 65C.
Notes:
1. dI/dt = 100A/
μ
s.
2. VD
≤
600V.
3. VR = DF451 Diode voltage drop.
4. R.C. snubber. C = 0.1
μ
F, R = 33
.
5. Double side cooled.
Fig.6 Maximum allowable peak on-state current vs pulse width for Tcase = 90C.
Notes:
1. dI/dt = 100A/
μ
s.
2. VD
≤
600V.
3. VR = DF451 Diode voltage drop.
4. R.C. snubber. C = 0.1
μ
F, R = 33
.
5. Double side cooled.
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