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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | TA32912Q |
| 廠商： | DYNEX SEMICONDUCTOR LTD |
| 元件分類： | 晶閘管 |
| 英文描述： | Asymmetric Thyristor |
| 中文描述： | 370 A, 1200 V, ASSYMETRIC SCR |
| 封裝： | MU86, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/10頁 |
| 文件大小： | 102K |
| 代理商： | TA32912Q |
TA329..Q
4/10
CURVES
Fig.1 Energy per pulse for sinusoidal pulses.
Notes:
1. VD
≤
600V.
2. VR = DF451 Diode voltage drop.
3. R.C. snubber. C = 0.1
μ
F, R = 33
.
4. Double side cooled.
Fig.2 Maximum allowable peak on-state current vs pulse width for Tcase = 65C.
Notes:
1. VD
≤
600V.
2. VR = DF451 Diode voltage drop.
3. R.C. snubber. C = 0.1
μ
F, R = 33
.
4. Double side cooled.
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