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參數(shù)資料
| 型號： | T436416C |
| 廠商： | TM Technology, Inc. |
| 英文描述： | 4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 4米× 16 SDRAM的100萬x 16Bit的X 4Banks同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 19/28頁 |
| 文件大小： | 651K |
| 代理商： | T436416C |
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TE
CH
tm
Page Write cycle at Different Bank @ Burst Length = 4
0
1
2
3
4
5
T436416C
TM Technology Inc. reserves the right
P.19
to change products or specifications without notice.
Publication Date: AUG. 2004
Revision: A
CLO CK
C K E
CS
R A S
C A S
A D D R
A 13,A 12
A 10/A P
D Q
W E
D Q M
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
H IG H
:D on't care
R ow Active
(A -B ank)
W rite (A-
B ank)
R ow Active
(B -B ank)
W rite (B -
B ank)
W rite (A-
B ank)
W rite (B -
B ank)
Precharge
(A -B ank)
*N o te1
*N o te2
t
CD L
t
RD L
RAa
CAa
RBb
CBb
CAc
CBd
RAa
RBb
D A a0
D A a1
D A a2
D A a3
D B b0
D B b1
D B b2
D B b3
D A c0
D A c1
D B d0
D B d1
*Note : 1. To interrupt burst write by row precharge, DQM should be asserted to mask invalid input data.
2. To interrupt burst write by row precharge, both the write and the precharge banks must be the same.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T436416C-6S | 4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416C-6SG | 4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416C-7S | 4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416C-7SG | 4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416D | 4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| T436416C-6S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416C-6SG | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416C-7S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416C-7SG | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416D | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
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