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參數(shù)資料
| 型號： | T4312816A |
| 廠商： | TM Technology, Inc. |
| 英文描述： | 8M x 16 SDRAM |
| 中文描述： | 8米× 16內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 19/29頁 |
| 文件大?。?/td> | 711K |
| 代理商： | T4312816A |
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TE
CH
tm
Page Write cycle at Different Bank @ Burst Length = 4
0
1
2
3
4
5
Preliminary T4312816A
TM Technology Inc. reserves the right
P.19
to change products or specifications without notice.
Publication Date: APR. 2003
Revision: 0.B
CLO CK
CK E
CS
RA S
CA S
A D D R
BA
A 10/A P
D Q
W E
D Q M
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
H IG H
:D on't care
R ow A ctive
(A -B ank)
W rite (A -
B ank)
R ow A ctive
(B -B ank)
W rite (B -
B ank)
W rite (A -
B ank)
W rite (B -
B ank)
Precharge
(A -B ank)
*N ote1
*N ote2
t
CD L
t
RD L
RA a
CA a
RBb
CBb
CA c
CBd
RA a
RBb
D A a0
D A a1
D A a2
D A a3
D B b0
D B b1
D B b2
D B b3
D A c0
D A c1
D B d0
D B d1
*Note : 1. To interrupt burst write by row precharge, DQM should be asserted to mask invalid input data.
2. To interrupt burst write by row precharge, both the write and the precharge banks must be the same.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T4312816A-10S | 8M x 16 SDRAM |
| T4312816A-6S | 8M x 16 SDRAM |
| T4312816A-7.5S | 8M x 16 SDRAM |
| T4312816A-7S | 8M x 16 SDRAM |
| T4312816A-8S | 8M x 16 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| T4312816A-10S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:8M x 16 SDRAM |
| T4312816A-6S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:8M x 16 SDRAM |
| T4312816A-7.5S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:8M x 16 SDRAM |
| T4312816A-7S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:8M x 16 SDRAM |
| T4312816A-8S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:8M x 16 SDRAM |
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