參數(shù)資料
型號(hào)： T221160A-35S
廠(chǎng)商： TM Technology, Inc.
英文描述： 64K x 16 DYNAMIC RAM FAST PAGE MODE
中文描述： 64K的× 16動(dòng)態(tài)RAM快速頁(yè)面模式
文件頁(yè)數(shù)： 6/14頁(yè)
文件大小： 134K
代理商： T221160A-35S
TE
CH
tm
AC CHARACTERISTICS
(continued)
AC CHARACTERISTICS
T221160A
Taiwan Memory Technology, Inc. reserves the right
P. 6
to change products or specifications without notice.
Publication Date: FEB. 2002
Revision:A
-25
-30
-35
-40
PARAMETER
SYM
MIN MAX MIN MAX MIN MAX MIN MAX UNIT
Notes
Output Buffer Turn-off OE to
Write Command Setup Time
tOFF2
tWCS
tWCH
tWCR
-
6
-
8
-
8
-
8
ns
16
0
0
0
0
ns
11,14
Write Command Hold Time
4
4
4
6
ns
Write Command Hold Time (Reference
toRAS)
Write Command Pulse Width
22
26
30
34
ns
14
tWP
tRWL
tCWL
tDS
tDH
tDHR
tRWD
tAWD 21
tCWD 17
tT
tREF
tRPC
tCSR
tCHR
tOEH
4
4
4
6
ns
14
Write Command to RAS Lead Time
5
6
7
9
ns
14
Write Command to CAS Lead Time
Data-in Setup Time
5
6
7
8
ns
14
0
0
0
0
ns
12
Data-in Hold Time
4
4
4
5
ns
12
Data-in Hold Time (Reference to RAS)
22
26
30
34
ns
RAS to WE Delay Time
34
46
51
56
ns
11
Column Address to WE Delay Time
29
31
35
ns
11
CAS to WE Delay Time
Transition Time (rise or fall)
24
25
27
ns
11
1.5
50
1.5
50
2.5
50
2.5
50
ns
2,3
Refresh Period (256 cycles)
4
4
4
4
ms
RAS to CAS Precharge Time
10
10
10
10
ns
CAS Setup Time (CBR REFRESH)
5
10
10
10
ns
6
CAS Hold Time (CBR REFRESH)
7
10
10
10
ns
6
OE Hold Time From WEDuring Read-
Modify-Write Cycle
OE Setup Prior to RAS During Hidden
Refresh Cycle
4
4
4
5
ns
15
tORD
0
0
0
0
ns
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PDF描述
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