參數(shù)資料
型號(hào)： T221160A-35S
廠商： TM Technology, Inc.
英文描述： 64K x 16 DYNAMIC RAM FAST PAGE MODE
中文描述： 64K的× 16動(dòng)態(tài)RAM快速頁(yè)面模式
文件頁(yè)數(shù)： 13/14頁(yè)
文件大小： 134K
代理商： T221160A-35S
TE
CH
tm
PACKAGE DIMENSIONS
40-LEAD SOJ DRAM (400 mil)
T221160A
Taiwan Memory Technology, Inc. reserves the right
P. 13
to change products or specifications without notice.
Publication Date: FEB. 2002
Revision:A
1
20
21
40
C
y
J
B
A
D
Seating
Plane
F
E
10￠X(MAX
)
I
H
L
K
G
SYMBOL
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
y
DIMENSIONS IN INCHES
1.025
±
0.010
0.400
±
0.005
0.045(MAX)
0.050
±
0.006
0.019
±
0.003
0.026
±
0.003
0.440
±
0.010
0.011
±
0.003
0.025(MIN)
0.364
±
0.020
0.047
±
0.006
0.150(MAX)
0.004(MAX)
DIMENSIONS IN MM
26.035
±
0.254
10.160
±
0.127
1.143(MAX)
1.27
±
0.152
0.483
±
0.08
0.661
±
0.080
11.176
±
0.254
0.280
±
0.080
0.635(MIN)
9.246
±
0.508
1.194
±
0.152
3.810(MAX)
0.102(MAX)
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T221N08EOF 功能描述:SCR模塊 800V 6.5KA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復(fù)通態(tài)電流:4000 A 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:4200 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK
T221N10BOF 功能描述:SCR模塊 1.8KV 5.7KA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復(fù)通態(tài)電流:4000 A 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:4200 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK
T221N12BOF 功能描述:SCR模塊 1.2KV 6.5KA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復(fù)通態(tài)電流:4000 A 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:4200 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK
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