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IRF7319TRPBF正品保障公司現(xiàn)貨量大從優(yōu)IRF7319TRPBF
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  • 所 在 地： 廣東 深圳市 福田區(qū)
  • 發(fā)布日期： 2019年06月03日
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品牌INFINEON型號IRF7319TRPBF
屬性 數(shù)值
通道類型 N，P
最大連續(xù)漏極電流 4.9 A，6.5 A
最大漏源電壓 30 V
最大漏源電阻值 46 mΩ、98 mΩ
最大柵閾值電壓 1V
最小柵閾值電壓 1V
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
封裝類型 SOIC
安裝類型 表面貼裝
晶體管配置 隔離式
引腳數(shù)目 8
通道模式 增強
類別 功率 MOSFET
最大功率耗散 2 W
典型輸入電容值@Vds 650 pF@ 25 V, 710 pF@ -25 V
寬度 4mm
每片芯片元件數(shù)目 2
典型關斷延遲時間 26 ns, 34 ns
典型柵極電荷@Vgs 22 nC @ 10 V，23 nC @ 10 V
最低工作溫度 -55 °C
晶體管材料 Si
典型接通延遲時間 8.1 ns、13 ns
尺寸 5 x 4 x 1.5mm
系列 HEXFET
最高工作溫度 +150 °C
長度 5mm
高度 1.5mm
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