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IPD90R1K2C3現(xiàn)貨供應(yīng)優(yōu)勢(shì)出售IPD90R1K2C3
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  • 發(fā) 貨 期： 7 天內(nèi)發(fā)貨
  • 所 在 地： 廣東 深圳市 福田區(qū)
  • 發(fā)布日期： 2019年06月04日
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  • 聯(lián)系人：劉連紅 (女士) QQ 3004716258QQ 3004771367
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  • 地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北華強(qiáng)廣場(chǎng)A座14
品牌INFINEON型號(hào)IPD90R1K2C3
屬性 數(shù)值
通道類(lèi)型 N
最大連續(xù)漏極電流 5.1 A
最大漏源電壓 900 V
最大漏源電阻值 2.5 Ω
最大柵閾值電壓 3.5V
最小柵閾值電壓 2.5V
最大柵源電壓 -30 V、+30 V
封裝類(lèi)型 DPAK (TO-252)
安裝類(lèi)型 表面貼裝
晶體管配置 單
引腳數(shù)目 3
通道模式 增強(qiáng)
類(lèi)別 功率 MOSFET
最大功率耗散 83 W
長(zhǎng)度 6.73mm
最高工作溫度 +150 °C
典型輸入電容值@Vds 710 pF @ 100 V
尺寸 6.73 x 6.22 x 2.41mm
典型關(guān)斷延遲時(shí)間 400 ns
系列 CoolMOS C3
晶體管材料 Si
高度 2.41mm
典型柵極電荷@Vgs 28 nC @ 10 V
典型接通延遲時(shí)間 70 ns
寬度 6.22mm
最低工作溫度 -55 °C
每片芯片元件數(shù)目 1
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