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IRLR2908TRLPBF現(xiàn)貨供應優(yōu)勢出售
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，IRLR2908TRLPBF現(xiàn)貨供應優(yōu)勢出售

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  • 發(fā) 貨 期： 7 天內(nèi)發(fā)貨
  • 所 在 地： 廣東 深圳市 福田區(qū)
  • 發(fā)布日期： 2019年06月04日
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  • 聯(lián)系人：劉連紅 (女士) QQ 3004716258QQ 3004771367
  • 電話：18205346238
  • 傳真：-
  • 郵件：llh@buyelec.net
  • 地址：深圳市福田區(qū)華強北華強廣場A座14
屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 39 A
最大漏源電壓 80 V
最大漏源電阻值 30 mΩ
最大柵閾值電壓 2.5V
最小柵閾值電壓 1V
最大柵源電壓 -16 V、+16 V
封裝類型 DPAK (TO-252)
安裝類型 表面貼裝
晶體管配置 單
引腳數(shù)目 3
通道模式 增強
類別 功率 MOSFET
最大功率耗散 120 W
寬度 6.22mm
每片芯片元件數(shù)目 1
尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm
晶體管材料 Si
典型接通延遲時間 12 ns
典型柵極電荷@Vgs 22 nC @ 4.5 V
典型輸入電容值@Vds 1890 pF @ 25 V
典型關斷延遲時間 36 ns
最低工作溫度 -55 °C
長度 6.73mm
高度 2.39mm
系列 HEXFET
最高工作溫度 +175 °C
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