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供應H55S5122DFR-60M-C
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  • 發(fā)布日期: 2012年08月08日
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型號H55S5122DFR-60M-C廠家HY
封裝BGA  
產(chǎn)品詳細說明技術參數(shù):制造廠商: HYNIX 產(chǎn)品類別:工作電壓: 工作溫度:存儲介質(zhì)類別: I/O接口位寬: 存儲密度: 損壞區(qū)塊: 芯片版本:芯片特征: 封裝類型:BGA 封裝材料:無鉛 mobile sdram 與一般的sdram比較更適合移動、手持設備使用;電源電壓范圍:1.8V 封裝不同:小封裝 BGA 沒有一般SDRAM速度快,目前最大可達到100多兆;省電設計:TCSR:Temperature Compensated Self Refresh PASR:Partial Array Self Refresh DS:Driver Strength 初試化時需要設置MOBILE SD的MR和EMR兩個寄存器。 FLASH的模式設置為異步還是同步,要看CPU是否支持,系統(tǒng)是否需要用FLASH的同步模式;同步模式的設置是需要驅(qū)動來做的。
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