NAND128W3A2BN6E

產(chǎn)品詳細(xì)說明NAND512W3A2DND技術(shù)參數(shù)：制造廠商：ST 產(chǎn)品類別：NAND FLASH 工作電壓：3.0V 工作溫度：存儲介質(zhì)類別： I/O接口位寬: x 8bit 存儲密度：損壞區(qū)塊： 芯片版本：芯片特征： 封裝類型：TSOP 封裝材料： 無鉛包裝：TRAY ST簡介： ST是世界上最大的非易失性存儲器供應(yīng)商之一，該市場包括NOR和NAND閃存。ST在NOR閃存領(lǐng)域的市場份額為16.3%，排名第三1；在串行閃存（帶串行總線的閃存）領(lǐng)域的市場份額為31%，排名第一2。作為全球最大的值得信賴的先進存儲器解決方案供應(yīng)商之一，意法半導(dǎo)體為客戶提供最先進的技術(shù)產(chǎn)品，從而推動他們開發(fā)出高效、安全的無線通信及嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用。 ST獲得閃存領(lǐng)域的領(lǐng)先市場地位是得益于：大幅度提高閃存的產(chǎn)能，世界領(lǐng)先的技術(shù)，以先進、創(chuàng)新、差異化的產(chǎn)品組合全面覆蓋目標(biāo)應(yīng)用領(lǐng)域，與移動通信、數(shù)字消費、PC機、硬盤、汽車、工業(yè)等主要閃存消費應(yīng)用市場上的10家主導(dǎo)公司簽訂了長期合作協(xié)議。ST能夠?qū)Σ粩嘧兓氖袌鲎龀隹焖俜磻?yīng)，并超出市場的平均增長水平。